[发明专利]一种多孔微柱变曲率型面的芯片强化沸腾换热结构有效
申请号: | 201210146854.1 | 申请日: | 2012-05-14 |
公开(公告)号: | CN102683305A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 魏进家;薛艳芳 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L23/427 | 分类号: | H01L23/427 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 微柱变 曲率 芯片 强化 沸腾 结构 | ||
1.一种多孔微柱变曲率型面的芯片强化沸腾换热结构,包括芯片表面的散热板以及在散热板上面利用泡沫金属形成若干个多孔变曲率型面三维微结构,其特征在于:多孔变曲率型面三维微结构为六面型,上下表面为不同尺寸的正方形,4个侧表面为相同形状的弧面。
2.根据权利要求1所述的一种多孔微柱变曲率型面的芯片强化沸腾换热结构,其特征在于,所述多孔变曲率型面三维微结构呈阵列式分布。
3.根据权利要求1所述的一种多孔微柱变曲率型面的芯片强化沸腾换热结构,其特征在于,所述多孔变曲率型面三维微结构侧表面的弧面形状为弧线型轨迹,所述微结构高度h为50μm~300μm,上表面边长W上为10μm~100μm,下表面边长W下为5μm~50μm,相邻微结构之间中心点距离p为上表面边长W上的1.5~2.5倍。
4.根据权利要求1所述的一种多孔微柱变曲率型面的芯片强化沸腾换热结构,其特征在于,所述多孔变曲率型面三维微结构侧表面的弧面形状为抛物线型轨迹,所述微结构高度h为50μm~300μm,上表面边长W上为10μm~100μm,下表面边长W下为5μm~50μm,相邻微结构之间中心点距离p为上表面边长W上的1.5~2.5倍。
5.一种根据权利要求1-4任一项所述的多孔微柱变曲率型面的芯片强化沸腾换热结构的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)利用液态聚合物紫外光固化工艺,制作变曲率型面三维微通道铸模器件:
首先对三维CAM/CAD实体模型进行数据分析,其次解析分解为二维CAD平面数据,工作时,激光束按照解析平面图形进行分层扫描固化,被扫描到的部位就形成与图形一致的二维片状单位并堆积,不断重复此过程,形成三维聚合物结构即与三维实体模型相吻合的铸模;
2)把制备好的液态泡沫金属,浇铸到铸模中进行金属微电镀,待冷却固化后,用溶剂或进行化学反应,将固化聚合物分解去除,最后得到阵列式分布的多孔微柱变曲率型面三维微结构。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:其中二维片状单位的堆积轨迹是按照三维实体模型的轮廓设定,为抛物线型或弧线型。
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