[发明专利]半导体制造方法

权利要求书

1.一种存储器位单元，包括：

锁存器；

写端口，与所述锁存器相连接，包括具有第一阈值电压的第一组器件，和具有第二阈值电压的第二组器件，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压；以及

读端口，与所述锁存器相连接，包括具有第三阈值电压的第三组器件，所述第三阈值电压小于所述第一阈值电压。

2.根据权利要求1所述的存储器位单元，其中，所述第一组器件具有第一栅极长度，所述第二组器件具有第二栅极长度，所述第二栅极长度比所述第一栅极长度长，并且所述第三组器件具有第三栅极长度，所述第三栅极长度比所述第一栅极长度短。

3.根据权利要求1所述的存储器位单元，其中，所述第一组器件形成在第一类型的第一阱中，所述第二组器件形成在第一类型的第二阱中，并且所述第三组器件形成在第一类型的第三阱中，并且第四组器件形成在第二类型的第一阱中。

4.根据权利要求3所述的存储器位单元，其中，所述第一类型的第一阱具有第一掺杂浓度，所述第一类型的第二阱具有不同于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，并且所述第一类型的第三阱具有不同于所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度的第三掺杂浓度。

5.根据权利要求3所述的存储器位单元，其中，所述第一类型的第一阱设置为直接邻近所述第二类型的第一阱，并且所述第一类型的第二阱设置在所述第二类型的第一阱和所述第一类型的第三阱之间。

6.根据权利要求3所述的存储器位单元，其中，所述第一组器件、所述第二组器件、和所述第三组器件的栅极电介质厚度相同。

7.根据权利要求6所述的存储器位单元，其中，所述第一类型的第一阱和所述第一类型的第二阱具有第一掺杂浓度，并且所述第一类型的第三阱具有不同于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。

8.根据权利要求3所述的存储器位单元，其中，所述第一组器件，所述第二组器件，和所述第三组器件的栅极电介质厚度相同，所述第四组器件的栅极电介质厚度与所述第一组器件、所述第二组器件、和所述第三组器件的栅极电介质厚度不同。

9.一种制造半导体存储器的方法，包括：

在半导体衬底中形成存储器位单元的第一组器件，所述第一组器件具有第一阈值电压；

在所述半导体衬底中形成所述存储器位单元的第二组器件，所述第二组器件具有大于所述第一阈值电压的第二阈值电压；

在所述半导体衬底中形成所述存储器位单元的第三组器件，所述第三组器件具有小于所述第一阈值电压的第三阈值电压；以及

在所述半导体衬底中形成所述存储器位单元的第四组器件，所述第四组器件具有第四阈值电压。

10.一种半导体存储器，包括：

多个位单元，布置在多个行和多个列中，所述多个行中的每一行与至少一条字线相关联，并且所述多个列中的每一列与至少一条位线相关联，

其中，第一位单元设置在第一行和第一列中，并且包括：

包括第一组器件和第二组器件的写端口，所述第一组器件具有第一阈值电压，所述第二组器件具有大于所述第一阈值电压的第二阈值电压；以及

包括第三组器件的读端口，所述第三组器件具有小于所述第一阈值电压的第三阈值电压。