[发明专利]改善肖特基二极管击穿电压均一性的方法

权利要求书

1.一种改善肖特基二极管击穿电压均一性的方法，包括如下步骤：

步骤一、在硅衬底中进行N型轻掺杂离子注入，形成N阱，构成N型轻掺杂硅衬底；

步骤二、在所述N型轻掺杂硅衬底的上端面形成一金属前介质层；

步骤三、刻蚀所述金属前介质层，在所述N型轻掺杂硅衬底的上端面定义出制作钴硅化合物层的区域；

步骤四、湿法清洗所述N型轻掺杂硅衬底的表面；

其特征在于，还包括：

步骤五、在所述金属前介质层和所述N型轻掺杂硅衬底的上端面依次淀积金属钴层和氮化钛保护层；

步骤六、去除所述金属前介质层表面多余的金属钴层和氮化钛保护层，并对所述金属钴层和氮化钛保护层进行两次快速热退火处理形成钴硅化合物层；

步骤七、在所述钴硅化合物层和N型轻掺杂硅衬底上分别制作金属连接。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述步骤四和步骤五之间还包括等离子体刻蚀步骤，去除所述N型轻掺杂硅衬底表面的氧化层；

所述等离子体刻蚀包括但不限于物理刻蚀、化学刻蚀或二者的混合使用；所述等离子体物理刻蚀的时间为0～8秒；所述等离子体化学刻蚀的时间为0～15秒；所述等离子体刻蚀的功率为100W～2000W。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述等离子体物理刻蚀的气体包括但不限于Ar、N2、He、H2或O₂，气体流量为0.5～100sccm。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述等离子体化学刻蚀的气体包括但不限于H2、CF4、C2F6、CHF3、NF3或C4F6，或H2和He的混合气体，气体流量为1～500sccm。