[发明专利]用于计算光源入射到介质的散射电磁场分布的方法

权利要求书

1.一种用于计算光源入射到介质的散射电磁场分布的方法，其中，所述光源的入射角是Littrow-Mounting入射角，所述介质具有对称结构，所述方法包括：

a.将所述光源分解为与所述对称结构相对应的对称光源和反对称光源；

b.基于严格波耦合分析理论计算所述对称光源和所述反对称光源中的一种光源入射到所述介质的散射电磁场分布；

c.基于严格波耦合分析理论计算所述对称光源和所述反对称光源中的另一种光源入射到所述介质的散射电磁场分布；以及

d.将步骤b中计算得到的散射电磁场分布与步骤c中计算得到的散射电磁场分布相加，以得到所述光源入射到所述介质的散射电磁场分布。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质具有关于x轴对称的对称结构，

所述步骤a包括：将所述光源分解为关于x轴对称的对称光源和关于x轴反对称的反对称光源E2=E→in(x,y,z)-E→in(-x,y,z);]]>

所述步骤b包括：将所述对称光源的散射电磁场表示为E→r1(x,y,z)=Σm=-Nx,n=-Nym=Nx,n=NyR1mnE→mnexp(-j(Kxmx+Kyny+Kzmnz)),]]>其中R_1(-m)n＝R_1mn，求得R_1mn；

所述步骤c包括：将所述反对称光源的散射电磁场表示为E→r2(x,y,z)=Σm=-Nx,n=-Nym=Nx,n=NyR2mnE→mnexp(-j(Kxmx+Kyny+Kzmnz)),]]>其中R_2(-m)n＝-R_2mn，求得R_2mn；

所述步骤d包括：将所述光源的散射电磁场分布表示为E→r(x,y,z)=Σm=-Nx,n=-Nym=Nx,n=NyRmnE→mnexp(-j(Kxmx+Kyny+Kzmnz)),]]>其中Rmn=R1mn+R2mn2,]]>

其中，m、n是模的阶数，R_mn是(m，n)阶模的散射系数，是(m，n)阶阶模的电场矢量方向，Kzmn2=K2-Kxm2-Kyn2,]]>Kxm=m2πTx,]]>Kyn=n2πTy,]]>K=2πλ,]]>λ为波长，T_x、T_y分别为x和y方向的周期长度。