[发明专利]晶片分割方法

说明书

技术领域

本发明涉及如下所述的晶片分割方法：在照射对晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片内部形成改质层之后，对晶片施加外力而将晶片分割为器件芯片。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，通过沿着分割预定线切削在各区域上形成有器件的半导体晶片，对形成有器件的区域进行分割而制造各个器件芯片，其中，各区域是通过以格子状形成在表面上的多个分割预定线来划分的。

在晶片的切削加工中，以往虽然使用被称为切割机的切削装置，但是由于很难用切割机来切削作为光器件晶片的晶体生长用衬底的蓝宝石、SiC等硬质脆性材料，因此近年来关注通过激光加工装置进行的激光加工来将晶片分割为多个器件的技术。

作为使用了该激光加工装置的激光加工方法之一，例如在日本特开2005-129607号公报中公开有如下所述的技术：使用对晶片具有透过性的波长的激光束在晶片内部形成改质层（脆弱的层），通过扩径装置等沿着强度下降的改质层对晶片施加外力，从而将晶片分割为多个器件芯片。

在该激光加工方法中，由于几乎不产生在切削装置的切削加工中必然产生的切削屑，截口损失也非常小，因此能够应对分割预定线的缩小化。

【专利文献1】日本特开2005-129607号公报

【专利文献2】日本特开2007-189057号公报

但是，当使用对晶片具有透过性的波长的激光束在晶片内部形成改质层，在形成有改质层的晶片上施加外力来进行分割时，在分割而形成的各器件芯片的侧面上会产生分割屑。当该分割屑粘附在器件的表面时，会存在不仅降低器件品质，而且对后续工序的接合和包装带来障碍的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，能够提供如下所述的晶片分割方法：不会由于通过晶片的分割产生的分割屑而降低器件的品质，不会对后续工序带来障碍。

根据本发明，提供一种晶片分割方法，对于在通过形成于表面的交叉的多个分割预定线而划分的各区域上分别形成有器件的晶片，沿着该分割预定线分割来形成多个器件芯片，该晶片分割方法的特征在于，包括：激光束照射步骤，将相对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部，沿着该分割预定线将该激光束照射到晶片，在晶片内部形成沿着该分割预定线的改质层；粘接带贴附步骤，在实施该激光束照射步骤之前或之后，将具有基材和通过加热而软化的粘接层的粘接带贴附到晶片上；分割步骤，在实施该粘接带贴附步骤之后，通过使该粘接带扩张而在晶片上施加外力，沿着该分割预定线分割晶片，形成多个器件芯片；以及分割屑捕获步骤，对该粘接带进行加热而使该粘接带的该粘接层软化并使该粘接层侵入到在该分割步骤中形成的邻接的器件芯片之间，使通过分割生成的分割屑粘附在该粘接层上。

根据本发明，将具有通过加热而软化的粘接层的粘接带贴附在晶片上，通过使粘接带扩张来分割晶片。在与该分割同时或者分割之后，对粘接带进行加热而使粘接层侵入到被分割的器件芯片之间，使在芯片侧面产生的分割屑粘附在粘接层上来捕获。因此，能够防止分割屑附着在器件的表面，能够防止器件的品质下降，不存在对后续工序带来障碍的问题。

附图说明

图1是适合实施本发明的晶片分割方法的激光加工装置的概略立体图。

图2是激光束照射单元的框图。

图3是说明粘接带贴附步骤的立体图。

图4是示出激光束照射步骤的立体图。

图5是说明激光束照射步骤的部分截面侧视图。

图6是扩径装置的立体图。

图7是说明分割步骤的剖面图。

图8是说明分割屑捕获步骤的剖面图。

符号说明

2：激光加工装置；11：半导体晶片；13：分割预定线；15：器件；T：粘接带；F：环状框架；17：基材；19：粘接层；28：工作台；34：激光束照射单元；36：聚光器；21：改质层；80：扩径装置（分割装置）；23：器件芯片；25：分割屑；100：加热灯。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。参照图1，示出适合实施本发明的晶片分割方法的激光加工装置2的概略结构图。

激光加工装置2包含以能够在X轴方向移动的方式搭载在静止基座4上的第1滑块6。第1滑块6是通过由滚珠丝杆8及脉冲电机10构成的加工进给单元12，沿着一对导轨14在加工进给方向、即X轴方向移动。