[发明专利]一种电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210144437.3 | 申请日： | 2012-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103378131A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 补偿 肖特基 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种电荷补偿肖特基半导体装置，其特征在于：包括：
衬底层，为半导体材料构成；
漂移层，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料；多个
沟槽，位于漂移层第一导电半导体材料表面，沟槽内下部填充第二导电半导体材料，沟槽内上部侧壁设置有绝缘材料，沟槽内上部填充介质材料，并且沟槽内上部填充介质材料与沟槽内下部填充第二导电半导体材料相连；
肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料表面。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层为高浓度杂质掺杂的半导体材料。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层可以为高浓度杂质掺杂的半导体材料层和低浓度杂质掺杂的半导体材料层的叠加层。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的漂移层第一导电半导体材料与沟槽内下部填充第二导电半导体材料在器件接反向偏压时，可以形成电荷补偿结构。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内下部填充第二导电半导体材料的长度占据沟槽长度的绝大部分。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内上部填充的介质材料可以为金属、多晶硅或者绝缘材料。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结为第一导电半导体材料与势垒金属形成的结。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第二导电半导体材料表面可以为欧姆接触区。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的第二导电半导体材料表面可以为第二类型肖特基势垒结。
10.如权利要求1所述的一种电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后表面形成一种绝缘介质；
2)进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；
3)在沟槽内形成第二导电半导体材料，进行反刻蚀；
4)在半导体材料表面形成一种绝缘介质，干法刻蚀绝缘介质；
5)淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。
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