[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210143439.0 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102683187A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘正超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，其特征在于包括：
在衬底中形成P阱；
在P阱中形成P型重掺杂区，并且在P阱中形成N型漂移区；
在P型重掺杂区中形成源极区域；
在N型漂移区中形成漏极接触区；以及
沉积栅极氧化物并形成多晶硅栅极；
其中，在P阱中形成N型漂移区的步骤包括：
第一离子步骤，用于执行注入能量为650keV的磷注入；
第二离子步骤，用于执行注入能量为450keV的磷注入；
第三离子步骤，用于执行注入能量为140keV的磷注入；以及
第四离子步骤，用于执行注入能量为300keV的砷注入。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，其特征在于，在P阱中形成N型漂移区的步骤中，依次执行所述第一离子步骤、所述第二离子步骤、所述第三离子步骤以及所述第四离子步骤。
3.根据权利要求1或2所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，其特征在于还包括：在P型重掺杂区中形成位于源极区域的与横向双扩散金属氧化物半导体器件的沟道相对的一侧的隔离器。
4.根据权利要求3所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，其特征在于还包括：所述隔离器与源极区域的掺杂类型相反。
5.根据权利要求1或2所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，其特征在于还包括：在漏极接触区周围形成第一浅沟槽隔离区。
6.根据权利要求3所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，其特征在于还包括：在隔离器的与源极区域相对的一侧形成第二浅沟槽隔离区。
7.一种根据权利要求1至6之一所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法制成的横向双扩散金属氧化物半导体器件。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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