[发明专利]降低太阳能8寸单晶硅片氧含量的方法无效
| 申请号： | 201210142939.2 | 申请日： | 2012-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102628178A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 唐旭辉;高彬彬 | 申请（专利权）人： | 江苏聚能硅业有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 太阳能 单晶硅 含量 方法 | ||
【权利要求书】：
1.降低太阳能8寸单晶硅片氧含量的方法，其应用于通过坩埚进行的直拉单晶硅的工艺流程中，在该流程中，单晶硅在旋转的坩埚中进行加热拉晶，且单晶硅在坩埚中主动旋转，其特征在于：所述坩埚旋转的转速N为：6r/min≤N≤10r/min。
2.根据权利要求1所述的降低太阳能8寸单晶硅片氧含量的方法，其特征在于：所述坩埚旋转的转速N为：N＝8r/min。
3.根据权利要求1所述的降低太阳能8寸单晶硅片氧含量的方法，其特征在于：所述单晶硅的旋转方向与坩埚的旋转方向相反。
4.根据权利要求3所述的降低太阳能8寸单晶硅片氧含量的方法，其特征在于：所述单晶硅的转速n为：10r/min≤n≤14r/min。
5.根据权利要求4所述的降低太阳能8寸单晶硅片氧含量的方法，其特征在于：所述单晶硅的转速n为：n＝12r/min。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的降低太阳能8寸单晶硅片氧含量的方法，其特征在于：所述坩埚的内壁温度t为：1410℃≤t≤1420℃。
7.根据权利要求6所述的降低太阳能8寸单晶硅片氧含量的方法，其特征在于：所述坩埚的内壁温度t为：t＝1414℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏聚能硅业有限公司，未经江苏聚能硅业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210142939.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
