[发明专利]一种基于神经元MOS管的电压型四值施密特触发器电路有效

专利信息
申请号: 201210142541.9 申请日: 2012-05-09
公开(公告)号: CN102638248A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 杭国强;周选昌;吴剑钟;胡晓慧;杨旸;章丹艳 申请(专利权)人: 浙江大学城市学院
主分类号: H03K3/3565 分类号: H03K3/3565
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 金祺
地址: 310015 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 神经元 mos 电压 型四值 施密特触发器 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种施密特触发器电路,尤其涉及一种基于神经元MOS管的电压型四值施密特触发器电路。

背景技术

施密特触发器能有效抑制叠加在信号上的干扰,消除信号颤动而得到广泛应用,它是模拟和数字系统中对信号进行整形处理,改善开/关控制的一种常用电路。施密特电路的两个重要特征是:能有效地接收缓慢变化的输入信号并将其转变为快速变化的输出信号;对于正向和负向输入信号的直流传输特性有着不同的检测阈值,两者之差称之为回差。在多值逻辑电路中,多值施密特电路也应有其相应的使用地位。电路对信号值的检测是通过输入信号与阈值的比较来作出的,检测阈居于相邻的两种信号值之间。因此,为检测一个m值逻辑信号, 其取值为0,1,…,m-1,电路中需要设置0.5,1.5,…,m-1.5,共m-1个检测阈。在多值施密特电路的设计中需要对这m-1个检测阈值进行控制以实现对应阈值的回差特性,因此多值施密特电路的设计较之二值电路要复杂得多。

目前,基于CMOS工艺设计的多值施密特电路主要有电流型和电压型之分。多值电流型CMOS施密特电路因存在直流通路通常需要消耗较大的功耗,多值电压型CMOS施密特电路虽具有低功耗的特点,但多值电压型CMOS电路为实现具有多个阈值的MOS管需要增加额外的离子注入工序或需同时采用增强型和耗尽型两种MOS管,这增加了工艺复杂度, 使实用性受到限止。由于四值逻辑电路容易实现与二值逻辑电路的接口,因此对四值CMOS施密特电路的设计就显得尤为有意义。

发明内容

本发明的目的在于提出一种基于神经元MOS管的电压型四值施密特触发器电路,它们除了具有低功耗和结构简单的特点之外,还可以通过改变输入端电容耦合系数来调节回差电压。

本发明的设计方案是为了实现上述目的。本发明提供一种基于神经元MOS管的电压型四值施密特触发器电路,包括阈0.5电路、阈1.5电路、阈2.5电路和四值信号传输控制电路;所述阈0.5电路分别连接有电源VDD、电源V2以及输入信号端Vin;所述阈1.5电路分别连接有电源VDD、电源V2、电源V1以及输入信号端Vin;所述阈2.5电路分别连接有电源VDD、电源V1以及输入信号端Vin;所述四值信号传输控制电路分别连接有电源VDD、电源V1、电源V2以及输出信号端Vout;所述阈0.5电路、阈1.5电路以及阈2.5电路分别与四值信号传输控制电路相连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学城市学院,未经浙江大学城市学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210142541.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top