[发明专利]碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法有效

专利信息
申请号: 201210142488.2 申请日: 2012-05-09
公开(公告)号: CN102677161A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 孙瑞贇;杨建荣;魏彦锋;张传杰;孙权志;陈倩男;张娟;陈晓静 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: C30B19/00 分类号: C30B19/00;C30B33/00;C30B33/10
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 碲镉汞液相 外延 薄膜 背面 去除 方法
【权利要求书】:

1.一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法,其特征在于包括以下步骤:

1)在100级洁净室中,对外延薄膜表面用薄胶进行光刻胶匀胶保护并进行切割,将外延薄膜样品表面四周残液切除;

2)选取一块洁净的玻璃圆盘放置在可调温电炉上,温度调至80摄氏度。待玻璃盘升温后在其正中央区域涂上一块5厘米乘以5厘米的蜡,随后将外延薄膜样品有残液的面向上,水平放置于玻璃圆盘上蜡已融化的区域中,贴片完成后取下玻璃盘放置在易导热散热处,待蜡完全凝结后用刀片沿着外延薄膜边缘小心得将四周的蜡刮去;

3)先用三氯乙烯冲洗玻璃盘表面,以去除残留蜡、油及粘污,再用大量酒精冲洗玻璃盘表面,随后将清洗好的玻璃盘贴片面朝上浸泡于新配王水中腐蚀1分钟到10分钟后,用大量去离子水冲洗30秒后擦干;

4)用抛光机对外延薄膜样品有残液的背面依次进行15-20分钟的机械粗抛和10分钟的化学、机械精抛光,彻底去除外延薄膜样品背面的残液;

5)将残液已处理完毕的外延薄膜样品连同玻璃盘放置与可调温电炉上,温度调至80摄氏度,待蜡融化后将外延薄膜取下;

6)对外延薄膜样品表面进行去蜡和去光刻胶清洗;

7)在100级洁净室中,对外延薄膜样品表面用薄胶进行光刻胶匀胶保护。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210142488.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top