[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：

在半导体基板上形成包括接触孔的层间介电层；

采用导电材料填充该接触孔以形成接触图案；

去除该层间介电层以暴露该接触图案；

形成间隔体，该间隔体具有第一厚度并且围绕该接触图案的侧壁的至少一部分；

形成位线，该位线在提供有该间隔体的该接触图案的一个方向上延伸；

去除间隔体以在该接触图案与该位线之间形成空气间隙。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该接触孔在该半导体基板的第一方向上成行布置而彼此间隔开第一间隔，并且在与该半导体基板的第一方向相交的第二方向上布置而彼此间隔开第二间隔，该第二间隔比该第一间隔窄。

3.如权利要求2所述的方法，其中该第一间隔形成为具有一宽度，该宽度宽于该位线的宽度与具有第一厚度的该间隔体的宽度之和，并且该第二间隔形成为具有一宽度，该宽度等于或小于该间隔体的宽度，该间隔体具有第一厚度并且围绕布置于该半导体基板的第二方向上的该接触图案的侧壁的至少一部分。

4.如权利要求1所述的方法，其中该接触图案包括蚀刻选择性不同于构成该层间介电层的材料的材料。

5.如权利要求1所述的方法，其中采用湿蚀刻溶液通过浸出工艺去除该层间介电层，该湿蚀刻溶液包括缓冲氧化蚀刻剂溶液或者HF溶液。

6.如权利要求1所述的方法，其中该间隔体包括蚀刻选择性不同于构成该接触图案的材料的材料。

7.如权利要求1所述的方法，其中该间隔体填充布置于该半导体基板的第一方向上的该接触图案之间的第二间隔。

8.如权利要求1所述的方法，其中该位线围绕该接触图案的侧壁的至少1/3。

9.如权利要求1所述的方法，在形成该位线之后进一步包括：

使该位线从该位线的表面凹陷第一厚度，从而暴露围绕该接触图案的该间隔体的一部分；

形成覆盖该位线的氮化物层，该氮化物层形成为该凹陷的第一厚度。

10.如权利要求1所述的方法，在形成该空气间隙之后进一步包括：在该接触图案、该位线以及该空气间隙上形成蚀刻停止层，该蚀刻停止层包括氮化物层。

11.如权利要求10所述的方法，其中该蚀刻停止层仅形成在该空气间隙的入口处。

12.如权利要求1所述的方法，其中采用湿蚀刻溶液去除该间隔体，该湿蚀刻溶液包括缓冲氧化蚀刻剂溶液或者HF溶液。

13.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：

在半导体基板上形成层间介电层，该层间介电层包括在该半导体基板的第一方向上布置而彼此间隔开第一距离并且在与该半导体基板的第一方向相交的第二方向上布置而彼此间隔开第二间隔的接触孔，该第二间隔比该第一间隔窄；

通过采用导电材料填充该接触孔而形成接触图案；

去除该层间介电层以暴露该接触图案；

形成间隔体，该间隔体围绕该接触图案的侧壁的至少一部分并在第二方向上填充第二间隔；

形成位线，该位线在该间隔体之间按行延伸；

去除该间隔体以在该接触图案与该位线之间形成空气间隙；以及

在该接触图案、该位线和该空气间隙上形成蚀刻停止层。

14.如权利要求13所述的方法，其中该第一间隔形成的宽度为宽于该位线的宽度与具有第一厚度的该间隔体的宽度之和，并且该第二间隔形成的宽度为等于或小于间隔体的宽度，该间隔体具有第一厚度并且围绕布置于该半导体基板的该第二方向上的该接触图案的侧壁的至少一部分。

15.如权利要求13所述的方法，其中该间隔体填充在布置于该半导体基板的该第一方向上的该接触图案之间的第二间隔。

16.如权利要求13所述的方法，其中该位线围绕该接触图案的侧壁的至少1/3。