[发明专利]闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备无效
| 申请号： | 201210142280.0 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN102653857A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 金广福 | 申请（专利权）人： | 爱发科中北真空（沈阳）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/00 |
| 代理公司： | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人： | 李运萍 |
| 地址： | 110168 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闭合 磁场 平衡 磁控溅射 镀膜 设备 | ||
1.一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口，所述镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上，在所述镀膜室的外壁上设有真空抽气口，在镀膜室的下盖上设有工件转架，在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统，所述工件转架与偏压电源相连接；其特征在于所述圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个，圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置，并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路；其中，奇数圆柱磁控靶磁铁的磁极是N-S-N，偶数圆柱磁控靶磁铁的磁极是S-N-S，或者奇数圆柱磁控靶磁铁的磁极是S-N-S，偶数圆柱磁控靶磁铁的磁极是N-S-N。
2.根据权利要求1所述的一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，其特征在于所述奇数圆柱磁控靶S极磁铁的磁场强度在6000～8000高斯范围内，N极磁铁的磁场强度在4000～6000高斯范围内。
3.根据权利要求2所述的一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，其特征在于所述奇数圆柱磁控靶S极磁铁的磁场强度为6500高斯或7500高斯，N极磁铁的磁场强度为4500高斯或5500高斯。
4.根据权利要求1所述的一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，其特征在于所述偶数圆柱磁控靶N极磁铁的磁场强度在6000～8000高斯范围内，S极磁铁的磁场强度在4000～6000高斯范围内。
5.根据权利要求4所述的一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，其特征在于所述偶数圆柱磁控靶N极磁铁的磁场强度为6500高斯或7500高斯，S极磁铁的磁场强度为4500高斯或5500高斯。
6.根据权利要求1所述的一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备，其特征在于在所述镀膜室的上盖上设有靶挡板。
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