[发明专利]存储器控制器和存储器控制器的操作方法

说明书

对相关申请的交叉引用

本申请要求2011年5月9日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0043619的优先权，其内容通过引用而被全部合并于此。

技术领域

本发明总构思的示范性实施例涉及存储器控制器及其操作方法。

半导体存储设备可以是使用诸如硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等等之类的半导体制造的存储设备。半导体存储设备可以分为易失性存储设备和非易失性存储设备。

背景技术

易失性存储设备在断电时可能丢失存储的内容。易失性存储设备包括静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）、同步动态随机存取存储器（SDRAM）等等。非易失性存储设备甚至在断电时也可以保持存储的内容。非易失性存储设备可以包括只读存储器（ROM）、可编程ROM（PROM）、电可编程ROM（EPROM）、电可擦可编程ROM（EEPROM）、闪速存储设备、相变随机存取存储器（PRAM）、磁随机存取存储器（MRAM）、阻性随机存取存储器（RRAM）、铁电随机存取存储器（FRAM）等等。闪速存储设备可以分为NOR型和NAND型。

半导体存储设备的存储容量的增大可以通过提高半导体存储设备的集成度以及通过在一个存储单元中编程多位数据来实现。半导体存储设备的集成度的提高可以通过细化半导体存储设备的工艺来实现。在一个存储单元中编程多位数据可以通过减小存储在存储单元中的逻辑值的分布来实现。存储多位数据的存储单元可以被称为多电平单元（MLC）。

提高的集成度和MCL的引入可能引起错误率的增大。随着集成度的提高，存储在存储单元中的数据可能容易受噪声的影响。随着错误率的增大，可能扩大包括在存储器控制器中的纠错功能。这可能引起功耗的增大。

发明内容

本发明总构思的示范性实施例可以提供一种存储系统、计算系统、和控制存储器和计算系统的方法，以便调整在从存储设备输出的读矢量中搜索错误位置的钱氏（chien）搜索单元的每循环功耗。功耗可以通过调整要被钱氏搜索单元同时搜索的读矢量的位的数目来调整。随着读矢量中的错误的数目增大，可以降低钱氏搜索单元的每循环功耗。

本发明总构思的示范性实施例还可以提供一种存储系统、计算系统、和控制存储器和计算系统的方法，以便调整在从存储设备输出的读矢量中搜索错误位置的钱氏搜索单元的最大纠正时间。最大时间可以根据钱氏搜索是否对读矢量的数据部分和/或奇偶校验部分执行以及钱氏搜索单元的操作模式而增大。

本发明总构思的附加特征和用途在随后的描述中将被部分地阐明、并且由该描述将部分地明显、或可以通过实践本发明总构思来学习到。

本发明总构思的示范性实施例还可以提供一种用于控制存储设备的存储系统的控制器，包括：关键方程求解单元，计算由控制器接收到的从存储设备读取数据的读矢量中的错误位置多项式；控制单元，根据计算的错误位置多项式和关于该错误位置多项式的信息中的至少一个来估计在接收的读矢量中的错误的数目；和钱氏搜索单元，根据计算的错误位置多项式搜索接收的读矢量的错误位置。

控制器可以包括纠错单元，用于使用由关键方程求解单元计算的错误位置多项式来纠正接收的读矢量的在由钱氏搜索单元确定的错误位置处的错误。

控制单元可以调整钱氏搜索单元的每循环功耗。

控制单元可以通过根据由关键方程求解单元计算的错误位置多项式调整要在接收的读矢量中同时搜索的位的数目来调整钱氏搜索单元的每循环功耗。

当错误的数目小于或等于预定的第一错误的数目时，控制单元可以控制钱氏搜索单元以完全搜索模式操作，以同时搜索接收的读矢量的至少数据部分的位。

当错误的数目大于预定的第一错误的数目并且小于预定的第二错误的数目时，控制单元可以控制钱氏搜索单元以一半搜索模式操作，以同时搜索在完全搜索模式下同时搜索的接收的读矢量的位的数目的一半。

以一半搜索模式操作的钱氏搜索单元的每循环功耗可以小于完全搜索模式的每循环功耗。

当错误的数目大于预定的第二错误的数目时，控制单元可以控制钱氏搜索单元以四分之一搜索模式操作，以同时搜索在完全搜索模式下同时搜索的接收的读矢量的位的数目的四分之一。

以四分之一搜索模式操作的钱氏搜索单元的每循环功耗可以小于一半搜索模式的每循环功耗。

当错误的数目小于或等于预定的阈值时，控制单元可以控制钱氏搜索单元仅仅对接收的读矢量的数据部分执行钱氏搜索。