[发明专利]一种Nb-W合金及其制备方法无效
申请号: | 201210141534.7 | 申请日: | 2012-05-09 |
公开(公告)号: | CN102634712A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 胡昌义;黎宪宽;蔡宏中;魏燕;陈力;毛传军;郑旭;王云 | 申请(专利权)人: | 贵研铂业股份有限公司 |
主分类号: | C22C27/02 | 分类号: | C22C27/02;C22C1/00;C23C16/01;C23C16/06 |
代理公司: | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人: | 赛晓刚 |
地址: | 650106 云南省昆明市高新技*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nb 合金 及其 制备 方法 | ||
1.一种Nb-W合金材料,其特征在于:W为固溶强化元素,W含量为0.5-10wt.%,余量为Nb。
2.如权利要求1所述Nb-W合金材料,其特征在于:所述的Nb-W合金具有沿沉积方向的柱状择优取向和显微层状结构,层状结构存在同步的成分起伏:层间以Nb为基并分布有NbW固溶体,层内以NbW固溶体为基并分布有Nb原子。
3.如权利要求1所述Nb-W合金材料,其特征在于:所述W含量为9.68wt.%,余量为Nb。
4.一种如权利要求1所述Nb-W合金材料的制备方法,该方法采用化学气相沉积即CVD方法制备,其特征在于依次包括下列工艺步骤:
(1)以钼、石墨或其他高熔点金属为基体,将基体加工成沉积器件所需要的形状,并进行表面抛光及清洁处理;
(2)沉积准备:将原料Nb片和W片分别放置于Nb氯化室和W氯化室内,将沉积基体安放于旋转支撑杆上;将沉积系统密封,并抽成真空状态,真空度为10-2Torr;
(3)沉积过程:分别将Nb、W以及基体加热至相应的氯化温度和沉积温度,Nb加热温度为250-400℃,W的加热温度为550-700℃,沉积温度为900-1400℃,按照设定的流量分别通入H2和Cl2,并通过控制真空泵抽气速率调节沉积室的压力至预定值;
(4)采用化学腐蚀法或机械去除法将沉积的Nb-W合金与基体与Mo、石墨或其他高熔点金属进行分离,即可得到Nb-W合金材料或器件。
5.如权利要求4所述Nb-W合金材料的制备方法,其特征在于:所述原料Nb片和W片材厚度为0.2-0.5mm,纯度均为99.95%;所述的H2和Cl2,氢气纯度为99.95%,氯气纯度为99.6%。
6.如权利要求4所述Nb-W合金材料的制备方法,其特征在于:通入Nb氯化室内的Cl2流量范围为100-250ml/min,通入W氯化室内的Cl2流量范围为30-120ml/min。
7.如权利要求4所述Nb-W合金材料的制备方法,其特征在于:所述Nb-W合金材料中,W含量为0.5-10wt.%,余量为Nb。
8.如权利要求4所述Nb-W合金材料的制备方法,其特征在于:所述Nb-W合金材料中,所述W含量为9.68wt.%,余量为Nb。
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