[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一衬底；

一绝缘结构，形成在该衬底上；

一半导体沉积层，形成在该绝缘结构上及该衬底之上，该半导体沉积层具有一第一导电型；

一第一注入区，形成在该半导体沉积层中，该第一注入区具有该第一导电型与较该半导体沉积层高的掺杂浓度；

一第二注入区，形成在该半导体沉积层中，该第二注入区具有该第一导电型与较该半导体沉积层高的掺杂浓度；以及

一金属接触层，形成在该半导体沉积层的一接触区上，该接触区位于该第一注入区与该第二注入区之间，一接面形成在该金属接触层与该半导体沉积层的该接触区之间，其中此接面为一肖特基势垒(Schottky barrier)。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该绝缘结构包括一场氧化层(field oxide layer)。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其中该绝缘结构更包括一高温氧化层，设置在该氧化层之上。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，更包括一第一阱区，形成在该衬底中，其中该第一阱区位于该绝缘结构的下方，且该第一阱区具有该第一导电型或一第二导电型。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体沉积层包括一多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该第一导电型为N型，且该肖特基势垒可作为一P型栅极。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该第一导电型为P型，且该肖特基势垒可作为一N型栅极。

8.一种半导体元件，包括：

一衬底；

一第一绝缘结构形成在该衬底上；

一第一半导体沉积层形成在该第一绝缘结构上；

一第二绝缘结构，形成在该第一半导体沉积层上；

一第二半导体沉积层，形成在该第二绝缘结构上，该第二半导体沉积层具有一导电型；

一第一注入区，形成在该第二半导体沉积层中，该第一注入区具有该导电型与较该第二半导体沉积层高的掺杂浓度；

一第二注入区，形成在该第二半导体沉积层中，该第二注入区具有该导电型与较该第二半导体沉积层高的掺杂浓度；以及，

一金属接触层，形成在该第二半导体沉积层的一接触区上，该接触区位于该第一注入区与该第二注入区之间，一接面形成在该金属接触层与该第二半导体沉积层的该接触区之间，其中此接面为一肖特基势垒。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其中该第一绝缘结构包括一场氧化层以及一栅极氧化层，该栅极氧化层设置于该场氧化层之上。

10.一种半导体元件的制造方法，包括：

在一衬底上形成一绝缘结构；

在该衬底之上及该绝缘结构上形成一半导体沉积层，该半导体沉积层具有一第一导电型；

在该半导体沉积层中形成一第一注入区，该第一注入区具有该第一导电型以及较该半导体沉积层高的掺杂浓度；

在该半导体沉积层中形成一第二注入区，该第二注入区具有该第一导电型以及较该半导体沉积层高的掺杂浓度；

在该第二半导体沉积层的一接触区上形成一金属接触层，该接触区位于该第一注入区与该第二注入区之间，进而在该金属接触层与该第二半导体沉积层的该接触区之间形成一接面，其中此接面为一肖特基势垒。