[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置，包含：

一基板，具有一第一表面；

一图案化层，形成于所述基板上，该图案化层具有一第二表面，该第二表面与所述第一表面之间形成一角度；

一第一掺杂层，形成于所述基板及所述图案化层上，且延伸平行于所述第一表面；

一发光层，形成于所述第一掺杂层上，且延伸平行于所述第一表面；及

一第二掺杂层，形成于所述发光层上，且延伸平行于所述第一表面。

2.根据权利要求1所述之半导体发光装置，其中所述第一表面为所述基板的顶面，且所述第二表面为所述图案化层的侧面，其中所述第二表面倾斜于所述第一表面。

3.根据权利要求1所述之半导体发光装置，其中所述基板的材质为砷化镓、锗表面形成锗化硅、硅表面形成碳化硅、铝表面形成氧化铝、氮化镓、氮化铟、氮化铝、氧化锌、蓝宝石、玻璃、石英或其组合。

4.根据权利要求1所述之半导体发光装置，其中所述第一表面为C相平面、M相平面或A相平面。

5.根据权利要求1所述之半导体发光装置，其中所述第一表面为C相平面，且所述第二表面为R相平面；或是所述一表面为M相平面，且所述第二表面为C相平面；或是所述第一表面为A相平面，且所述第二表面为R相平面或N相平面。

6.根据权利要求1所述之半导体发光装置，其中所述图案化层具有一空隙，以暴露出部分所述基板的表面。

7.根据权利要求1所述之半导体发光装置，其中所述图案化层包含多个角锥体、多个圆锥体和/或多个火山形体。

8.根据权利要求1所述之半导体发光装置，其中所述图案化层的材质异于所述基板的材质。

9.根据权利要求8所述之半导体发光装置，其中所述图案化层的材质为二氧化硅、碳化硅、氮化硅或其组合。

10.根据权利要求8所述之半导体发光装置，其中所述图案化层及所述基板的材质使得所述第一掺杂层容易形成于所述第一表面，但是不容易形成于所述第二表面。

11.根据权利要求1所述之半导体发光装置，其中所述第一掺杂层、所述发光层及所述第二掺杂层的材质包含三族氮化物。

12.根据权利要求1所述之半导体发光装置，其中所述发光层包含单一量子阱或多重量子阱。

13.根据权利要求1所述之半导体发光装置，其中所述发光层包含超晶格结构。

14.根据权利要求6所述之半导体发光装置，还包含一成核层，形成于所述基板与所述图案化层上，并填满所述图案化层的空隙，且所述图案化层及所述基板的材质使得所述成核层容易形成于所述第一表面，但是不容易形成于所述第二表面。

15.根据权利要求14所述之半导体发光装置，还包含一非掺杂层，形成于所述成核层与所述第一掺杂层之间。

16.一种半导体发光装置的制造方法，包含：

提供一基板，具有一第一表面；

形成一图案化层于所述基板上，该图案化层具有一第二表面，该第二表面与所述第一表面之间形成一角度；

形成一第一掺杂层于所述基板及所述图案化层上，且延伸平行于所述第一表面；

形成一发光层于所述第一掺杂层上，且延伸平行于所述第一表面；及

形成一第二掺杂层于所述发光层上，且延伸平行于所述第一表面。

17.根据权利要求16所述半导体发光装置的制造方法，其中所述图案化层的形成步骤包含：

形成一结晶膜；及

除去部分的所述结晶膜，因而形成所述图案化层。

18.根据权利要求17所述半导体发光装置的制造方法，其中除去部分所述结晶膜的步骤包含形成一空隙，以暴露出部分所述基板的表面。

19.根据权利要求18所述半导体发光装置的制造方法，还包含形成一成核层及一非掺杂层于所述基板与所述图案化层上，所述成核层填满所述图案化层的空隙，所述非掺杂层位于所述成核层与所述第一掺杂层之间。