[发明专利]制造绝缘栅极半导体装置的方法及结构

权利要求书

1.一种用于形成半导体装置的方法，包括以下步骤：

提供具有主表面的半导体材料区域；

形成从所述主表面延伸的沟槽；

上覆于所述沟槽的表面形成第一层；

相邻于所述第一层形成间隔层，其中所述间隔层包含不同于所述第一层的材料；

在邻近所述沟槽的下表面处形成第一区域，所述第一区域包含不同于所述间隔层的材料；

在所述沟槽的下部分且相邻于所述间隔层及所述第一区域的若干部分中形成第一电极；其中所述第一层的若干部分介于所述第一电极与所述半导体材料区域之间；

在所述第一电极上方形成电介质层；以及

相邻于所述第一层及所述电介质层形成第二电极，其中所述第二电极的至少一部分位于所述沟槽内。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

邻接所述沟槽形成主体区域；以及

邻接所述主体区域及所述沟槽形成源极区域，其中所述形成所述第一层的步骤包括：形成栅极电介质层，且其中所述形成所述第一电极的步骤包括：形成屏蔽电极，且其中所述形成所述第二电极的步骤包括：形成栅极电极。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述间隔层的步骤包括以下步骤：

相邻于所述第一层形成第三层；以及

去除所述第三层的邻近所述沟槽的所述下表面处的部分。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述去除所述第三层的部分的步骤之前，上覆于所述主表面且相邻于所述第三层形成非共形层，且其中所述非共形层在邻近所述沟槽的上表面处较厚。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述形成所述第一区域的步骤之前，去除所述第一层的在所述间隔层下面的若干部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述第一层的步骤包括：形成包含氧化硅的第一层，且其中所述形成所述第一区域的步骤包括：形成包含氧化硅的所述第一区域。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述形成所述间隔层的步骤包括：形成包含氮化硅的所述间隔层。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述形成所述第一区域的步骤之前，相邻于所述间隔层形成多晶半导体间隔层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述源极区域的步骤包括：形成源极区域，所述源极区域具有邻接所述沟槽的延伸部分及邻接所述延伸部分的中心部分，其中所述中心部分比所述延伸部分浅。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述第一区域的步骤包括：形成具有沿着所述沟槽的下侧壁表面增大的厚度的所述第一区域，其中所述厚度在邻近所述沟槽的最下部分处最大。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述第一电极的步骤包括：形成具有阶梯状的所述第一电极。

12.一种用于形成半导体装置的方法，包括以下步骤：

提供具有主表面的半导体材料区域；

形成从所述主表面延伸的沟槽，其中所述沟槽具有侧壁表面及下表面；

邻接所述侧壁表面及所述下表面形成第一电介质层；

相邻于所述栅极电介质层形成第一间隔层且将所述栅极电介质层的邻近所述下表面的区段保留为曝露；

从所述下表面去除所述第一电介质层相邻于所述第一间隔层及所述半导体材料区域的若干部分；

邻接所述下表面形成第一电介质区域，其中所述第一电介质层比所述栅极电介质层厚；

相邻于所述间隔层形成第二电介质层；

相邻于所述第一电介质区域及所述第二电介质层形成第一导电区域；

相邻于所述第一电极的上表面形成第二电介质区域；

去除所述第二电介质层及所述间隔层相邻于所述沟槽的若干上部分的若干部分；以及

相邻于所述第一电介质层及所述第二电介质区域形成第二导电区域。