[发明专利]太阳电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池结构,包括硅片基材（1），在硅片基材（1）的正面是前表面场，前表面场上制作正面电极（3），其特征是：硅片基材（1）通过非晶硅薄膜钝化，在非晶硅薄膜上制作Al背场（7）。

2.根据权利要求1所述的太阳电池结构,其特征是：所述的非晶硅薄膜包括本征氢化非晶硅层（4）和与硅片基体掺杂类型相同的氢化非晶硅层，本征氢化非晶硅层（4）为内层。

3.根据权利要求2所述的太阳电池结构,其特征是：在非晶硅薄膜和Al背场（7）之间设置透明导电薄膜层（6）。

4.根据权利要求1所述的太阳电池结构,其特征是：在正面电极（3）的细栅线上也覆盖透明导电薄膜层（6）。

5.根据权利要求1所述的太阳电池结构,其特征是：所述的前表面场包括低掺杂区域（8）和重掺杂区域（9），在重掺杂区域（9）上制作正面电极（3），在前表面场上覆盖减反膜（2）。

6.根据权利要求3所述的太阳电池结构,其特征是：所述的硅片基材（1）为P型，本征氢化非晶硅层（4）的厚度3-20nm，p型氢化非晶硅层（5）的厚度3-20nm，透明导电薄膜层（6）的厚度75-100nm，Al背场（7）的厚度80-150nm。

7.一种权利要求6所述的太阳电池的制备方法，其特征是：先将P型硅片基材（1）制绒，然后进行扩散工艺，在硅片基材（1）正面形成前表面场，在前表面场的表面沉积减反膜（2），制作正面电极（3）；在背面依次沉积3-20nm的本征氢化非晶硅层（4）和3-20nm的p型氢化非晶硅层（5）,然后沉积80-100nm的透明导电薄膜层（6），最后蒸镀80-150nm的Al背场（7）。

8.根据权利要求7所述的太阳电池的制备方法,其特征是：通过扩散工艺，在硅片基材（1）正面形成前表面场具体为：通过重扩散；在硅片基材（1）表面沉积70-90nm的SiN_x薄膜，然后在非电极区印刷腐蚀浆料形成掩模图案，后用碱溶液或酸溶液腐蚀掉非电极区的硅以形成低掺杂区域8，电极区域为重掺杂区域9，其后使用酸溶液洗去电极区的SiN_x薄膜。

9.根据权利要求7所述的太阳电池的制备方法,其特征是：通过掩模在正面电极（3）的细栅线上沉积一层80-100nm的透明导电薄膜层（6）。

10.根据权利要求7或9所述的太阳电池的制备方法,其特征是：沉积透明导电薄膜层（6）的方法为磁控溅射方法。