[发明专利]一种Y2Si2O7 晶须的制备方法有效
| 申请号： | 201210139468.X | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102660766A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 黄剑锋;杨柳青;曹丽云;王雅琴 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/62;C30B29/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sub si 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种形貌可控的Y2Si2O7材料的制备方法，具体涉及一种Y2Si2O7晶须的制备方法。
背景技术
Y2Si2O7又称焦硅酸钇，属于单斜p21/m空间群结构，在空间上形成由[YO6]八面体顶点连接成二维网状结构，网状结构层与层间空隙由分离的[Si2O7]6-双四面体填充[Julien Parmentier,Philippe Bodart R.Phase transformations in Gel-derived and mixed-powder-derived yttrium disilicate,Y2Si2O7 by X-ray diffraction and 29SiMAS NMR[J].Journal of Solid State Chemistry,2000,149:16220.]。
焦硅酸钇(Y2Si2O7)自身具备的结构特点及一系列优异的物理化学性能，使其被广泛应用于电、磁、及光学领域。已有文献[GD Wilk,RM Wallance,JM Anthony.Hafnium and zirconium silicates for advanced gate dielectrics[J].Journal of Applied Physics,2000,87(1):484.]的报道中指出了焦硅酸钇(Y2Si2O7)是一种高介电常数的材料。日本学者N Taghavinia[Nelson Pan IK.Optimization of materials and processes on co-cured composite honey comb panels.International Sanple Technical Conference,1997:97.]等对制备的Eu3+:Y2Si2O7薄膜材料分析表征及性能测试后表明，该材料在紫外激发下具有较好的亮度值及色饱和度。
微电子、半导体领域的发展要求材料在保持高电容的前提下，同时具有很高的介电常数和较低的隧穿电流，这就要求进一步减小晶体管尺寸，传统SiO2材料尺寸减小的同时，材料本身因受到量子尺寸效应而失去介电性。研究表明[M Copel,E Cartier,V Narayanan,et al.Characterization of silicate/Si(001)interfaces[J].Applied Physics Letters,2002,81(22):4227-4229.]，焦硅酸钇(Y2Si2O7)材料有望克服以上缺点而取代SiO2成为新型电子、光学和耐高温结构材料，从而使具备优异性能小尺寸焦硅酸钇(Y2Si2O7)材料的制备引起了研究人员的广泛关注。
目前，有关焦硅酸钇(Y2Si2O7)的制备方法主要有如下几种：溶胶-凝胶法、微波水热合成法、声化学合成法、激光脉冲沉积技术、燃烧法等。这些制备方法都具有其独特的优点，但不足之处大多在于制备工艺复杂、反应周期长、反应条件要求较苛刻、需后期晶化处理等，且大多是关于Y2Si2O7粉体制备的报道，未见对Y2Si2O7晶须制备的报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用溶剂热法制备出形貌可控、高纯且粒度较为均一的焦硅酸钇(Y2Si2O7)晶须。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：
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