[发明专利]共通线结构与显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201210139373.8 | 申请日: | 2010-07-15 |
公开(公告)号: | CN102651344A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 蔡东璋 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;H01L27/02;H01L23/528 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共通 结构 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本申请为分案申请,其母案申请的申请号为201010230537.9,申请日为2010年7月15日,发明名称为“共通线结构与显示面板及其制作方法”。
技术领域
本发明涉及一种共通线结构与显示面板及其制作方法,尤其涉及一种利用一连接线段经由接触洞连接两共通线段的共通线结构、具有上述共通线结构的显示面板,以及上述共通线结构及显示面板的制作方法。
背景技术
显示面板的阵列基板,例如液晶显示面板的阵列基板,通常形成有由不同层导电图案层所构成的导线或电极,例如栅极线、数据线、共通线与像素电极等,且在不同层的导电图案层之间会设置有绝缘层以发挥绝缘效果。当不同层的导电图案层之间需要电性连接时,例如像素电极与薄膜晶体管的漏极之间需要电性连接时,会于绝缘层中形成穿孔(接触洞),以使位于绝缘层上像素电极得以通过穿孔搭接在漏极上。然后,有鉴于显示面板的开口率的规格不断提升,穿孔的尺寸必须缩小,但穿孔的缩小会使得其深宽比加大,而造成了不同层的导电图案层在搭接时的可靠度下降,进而使得显示面板的良率无法进一步提升。
发明内容
本发明的目的在于提供一种共通线结构、一种显示面板,以及共通线结构与显示面板的制作方法,以提升共通线结构与显示面板的可靠度。
本发明的一较佳实施例提供一种制作共通线结构的方法,包括下列步骤。提供一基板,其中基板上设置有至少一第一共通线段与至少一第二共通线段。接着于基板、第一共通线段与第二共通线段上形成一保护层。随后,形成至少一接触洞贯穿保护层,以部分暴露出第一共通线段与第二共通线段。之后,于保护层上形成一连接线段,并使连接线段电性连接接触洞所暴露出的第一共通线段与第二共通线段。
其中,该第一共通线段与该第二共通线段由一相同的导电图案层所构成。
其中,该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该第一接触洞部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞部分暴露出该第二共通线段。
其中,另包括于形成该保护层之前,先于该基板、该第一共通线段与该第二共通线段上形成一绝缘层,该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第一共通线段,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该第二共通线段。
其中,该第一接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一阶梯结构,且各该阶梯结构包括一第一倾斜面、一平面与一第二倾斜面。
其中,形成该第一接触洞与该第二接触洞的步骤包括:于该保护层上形成一光刻胶图案,该光刻胶图案包括一开口、一第一区域与一第二区域,其中该开口在一垂直投影方向与该第一共通线段以及该第二共通线段部分重迭,该第一区域与该开口邻接且在该垂直投影方向未与该第一共通线段以及该第二共通线段重迭,该第二区域环绕该第一区域与该开口,且该第一区域的厚度小于该第二区域的厚度;以及利用该光刻胶图案作为一蚀刻屏蔽对该保护层及该绝缘层进行蚀刻,以形成该第一接触洞、该第二接触洞以及该绝缘层的该阶梯结构。
其中,该光刻胶图案利用一半色调光掩模或一灰阶光掩模加以形成。
其中,该第一共通线段由一第一导电图案层所构成,且该第二共通线段由一第二导电图案层所构成。
其中,该至少一接触洞包括一第一接触洞与一第二接触洞,该至少一第一共通线段包括两第一共通线段,该至少一第二共通线段包括两第二共通线段,该第一接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
其中,另包括于形成该保护层与该两第二共通线段之前,先于该基板与该两第一共通线段上形成一绝缘层,该第一接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中一者与该两第二共通线段的其中一者,且该第二接触洞贯穿该保护层与该绝缘层以部分暴露出该两第一共通线段的其中另一者与该两第二共通线段的其中另一者。
其中,该第一接触洞所暴露的该绝缘层的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该绝缘层的一侧壁分别具有一第一斜率,该第一接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁与该第二接触洞所暴露出的该第二共通线段的一侧壁分别具有一第二斜率,且该第二斜率小于该第一斜率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造