[发明专利]基于碳纳米管的三维网格式芯片热量传导模型有效
| 申请号： | 201210138728.1 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102664171A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 黄嘉乐;张薇;单军铭;杨胜齐 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 三维 网格 芯片 热量 传导 模型 | ||
1.一种基于碳纳米管的三维网格式芯片热量传导模型，构成芯片层(3)与热传导器层(1)之间的热界面材料层(2),其特征在于：所述热界面材料层(2)是基于碳纳米管的热界面材料层，由基于碳纳米管的热通孔(5)和基于碳纳米管的网格层(4)组成，基于碳纳米管的热通孔(5)构成芯片层(3)至基于碳纳米管的网格层(4)的快速传热通道，从而，基于碳纳米管的热通孔(5)将芯片层(3)上的热量快速转移到基于碳纳米管的网格层(4)上，接着，热量经过基于碳纳米管的网格层(4)中的水平横向和纵向的碳纳米管(6、7)传输到整个芯片层(1)以实现热量的均匀分布。
2.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的三维网格式芯片热量传导模型,其特征在于:所述碳纳米管的热通孔(5)是由5*5阵列碳纳米管组成的碳纳米管束。
3.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的三维网格式芯片热量传导模型，其特征在于:所述基于碳纳米管网格层(4)由水平横向碳纳米管(6)叠层和水平纵向碳纳米管(7)叠层组成；水平横向的碳纳米管(6)叠层由两层碳纳米管叠加组成，每一层碳纳米管层由若干根均匀分布的碳纳米管组成，贴置在与芯片层相连的绝缘层之上；水平纵向碳纳米管(7)叠层由两层碳纳米管叠加组成，每一层碳纳米管层由若干根均匀分布的碳纳米管组成，位于水平横向碳纳米管(6)叠层上。
4.根据权利要求1、或2、或3、所述的基于碳纳米管的三维网格式芯片热量传导模型，其特征在于：在芯片层(3)上面形成基于碳纳米管的网格层(4),在该基于碳纳米管的网格层中竖直方向插入基于碳纳米管的热通孔(5)。
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