[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

现有技术中制作TFT-LCD（Thin Film Transistor LCD，薄膜场效应晶体管液晶显示器）像素区部分薄膜晶体管器件时，为了减少关态电流Ioff，可采用多栅极结构或者掺杂结构，由于多栅极结构会降低像素开口率，所以多采用掺杂结构的薄膜晶体管。

现有技术在制作像素部分薄膜晶体管器件时，需要通过额外的掩膜制作光阻图案层，在其光刻蚀程序中，曝光时很容易因对准误差而产生掺杂结构偏移的情形，并且由于需要有额外的掩模，因此现有技术受限于多一道光刻蚀程序带来的加工成本与加工时程的增加，加工成本较高，加工时间较长，且容易产生掺杂结构偏移的问题。

发明内容

本发明实施例提供了阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置，用以解决现有制作薄膜晶体管器件的技术存在加工成本较高，加工时间较长，且容易产生掺杂结构偏移的问题。

本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

在基板上形成第一多晶硅岛和第二多晶硅岛，所述第一多晶硅岛的一端与所述第二多晶硅岛的一端垂直连接；

在所述第一多晶硅岛的上方形成栅电极，在所述第二多晶硅岛的上方形成与所述栅电极连接的栅极线；

将所述第一多晶硅岛上未被所述栅电极覆盖的区域和所述第二多晶硅岛上未被所述栅极线覆盖的区域形成欧姆接触区；

形成与所述欧姆接触区连接的源极和漏极以及与所述栅极线垂直交叉并与所述漏极连接的数据线，其中，所述源极位于所述第一多晶硅岛的上方，所述漏极和所述数据线位于所述第二多晶硅岛的上方；

在所述栅极线与所述数据线交叉围成的区域上，形成与所述源极连接的像素电极。

实施时，所述在基板上形成第一多晶硅岛和第二多晶硅岛，所述第一多晶硅岛的一端与所述第二多晶硅岛的一端垂直连接，具体为：

在基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成多晶硅层；

通过构图工艺，将所述多晶硅层形成所述相互垂直连接的第一多晶硅岛和第二多晶硅岛。

实施时，所述在所述缓冲层上形成多晶硅层，具体为：

在所述缓冲层上形成非晶硅层；

将所述非晶硅层转化为多晶硅层。

实施时，所述在所述第一多晶硅岛的上方形成栅电极，在所述第二多晶硅岛的上方形成与所述栅电极连接的栅极线，具体为：

在所述第一多晶硅岛和第二多晶硅岛的上方形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖整个基板；

在所述栅绝缘层的上方形成栅极金属层；

通过构图工艺，将所述栅极金属层形成相互连接的栅电极和栅极线。

实施时，所述将所述第一多晶硅岛上未被所述栅电极覆盖的区域和所述第二多晶硅岛上未被所述栅极线覆盖的区域形成欧姆接触区，具体为：

利用所述栅电极和栅极线作为掩模进行离子掺杂工艺，使所述第一多晶硅岛和所述第二多晶硅岛上未被所述栅电极和栅极线覆盖的区域形成作为所述欧姆接触区的掺杂区。

实施时，所述形成与所述欧姆接触区连接的源极和漏极以及与所述栅极线垂直交叉的数据线，具体为：

在所述栅电极和栅极线的上方形成层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖整个基板；

在所述层间绝缘层上，形成露出对应源极区域的欧姆接触区的第一过孔和露出对应漏极区域的欧姆接触区的第二过孔；

在所述层间绝缘层上形成数据线金属层；

通过构图工艺，在所述第一多晶硅岛的上方形成通过所述第一过孔与所述欧姆接触区连接的源极，在所述第二多晶硅岛的上方形成通过所述第二过孔与所述欧姆接触区连接的漏极，在所述第二多晶硅岛的上方形成覆盖所述第二多晶硅岛的、且与所述栅极线交叉的数据线。

实施时，所述在所述栅极线与所述数据线交叉围成的区域上，形成与所述源极和所述栅极线连接的像素电极，具体为：

在所述源极和漏极的上方形成钝化层，所述钝化层覆盖整个基板；

在所述钝化层上形成露出对应源极的第三过孔；

形成像素电极层；

通过构图工艺，在所述栅极线与所述数据线交叉围成的区域上，形成通过所述第三过孔与所述源极连接的像素电极。

实施时，所述像素电极与所述栅极线部分重叠设置。

本发明还提供了一种阵列基板，包括：

基板；

位于所述基板上表面的缓冲层；