[发明专利]一种低K介质阻挡层及其形成方法无效
| 申请号： | 201210137455.9 | 申请日： | 2012-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN103383922A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介质 阻挡 及其 形成 方法 | ||
1.一种低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，包括：
提供具有低K介质层的衬底；
在所述低K介质层上形成低K介质阻挡层，所述低K介质阻挡层包括碳硼化合物层，所述碳硼化合物层通过无氧等离子体工艺形成。
2.如权利要求1所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述碳硼化合物层通过氦气等离子体工艺形成。
3.如权利要求2所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述氦气的流量为500sccm～2000sccm。
4.如权利要求1所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述碳硼化合物层通过氩气等离子体工艺形成。
5.如权利要求4所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述氩气的流量为500sccm～2000sccm。
6.如权利要求2至5中的任一项所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，形成所述碳硼化合物层的反应气体包括：B2H6和C2H2。
7.如权利要求6所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述反应气体B2H6和C2H2的流量均为500sccm～2000sccm。
8.如权利要求7所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，形成所述碳硼化合物层工艺的时间为5s～50s，功率为100w～150w。
9.如权利要求7所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述碳硼化合物层的厚度为20埃～300埃。
10.如权利要求1所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，形成所述碳硼化合物层的反应气体包括：乙基二甲基甲烷和C2H2。
11.如权利要求1所述的低K介质阻挡层的形成方法，其特征在于，所述低K介质阻挡层还包括TEOS层，所述TEOS层位于所述碳硼化合物层上。
12.一种如权利要求1至11中任一项所述的低K介质阻挡层的形成方法所形成的低K介质阻挡层，其特征在于，包括：
碳硼化合物层，所述碳硼化合物层通过无氧等离子体工艺形成，所述碳硼化合物层位于具有低K介质层的衬底上。
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