[发明专利]像素结构及相应的液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种开口率高、制作稳定性好的像素结构及相应的液晶显示装置。

背景技术

现在的液晶显示面板的面板尺寸越做越大，同时使用者对液晶显示面板的广视角、低能耗等要求也越来越高，促进了液晶显示面板的像素结构设计的多样化发展。

在液晶显示面板的每个像素结构中，均设置有存储电容，存储电容用于保持驱动液晶分子转动的电压。存储电容的电容值应根据像素的大小进行设计，如存储电容太小，则无法保持住上述的驱动电压，造成显示画面的闪烁；如存储电容太大，则会增加不必要的充电时间或在固定时间内无法充饱存储电容，影响液晶分子的转动速度或转动角度。

请参照图1，图1为一种现有技术的像素结构的结构示意图，该像素结构包括数据线11、扫描线12、薄膜场效应晶体管13、像素电极14、位于有色层(CF，Color filter)的上板公共电极（图中未示出）以及位于阵列层(TFT，Thin Film Transistor)的下板公共电极15。该像素结构的存储电容主要是由下板公共电极15与像素电极14构成。但使用该像素结构时，由于下板公共电极15一般为不透光的金属电极，从而大大影响该像素结构的开口率。

请参照图2，图2为另一种现有技术的像素结构的结构示意图，该像素结构也包括数据线21、扫描线22、薄膜场效应晶体管23、像素电极24以及位于有色层的上板公共电极（图中未示出）。相比上一种像素结构，这种像素结构将位于阵列层的下板公共电极去除，同时将像素电极24向扫描线22的方向延伸并局部覆盖其中一扫描线22，由像素电极24与扫描线22之间构成的电容作为该像素结构的存储电容。这种像素结构可以避免存储电容对像素结构的开口率的影响。但制作该像素结构时，存储电容由像素电极24与扫描线22的重叠区域来确定，对于像素电极24的制程要求较高，如像素电极24的曝光制程的精度较低会较大的影响存储电容的电容值，进而影响相应液晶显示装置的显示品质。

故，有必要提供一种像素结构及相应的液晶显示装置，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型的像素结构以及相应的液晶显示装置,该像素结构开口率高、制作稳定性好，以解决现有的像素结构及相应的液晶显示装置开口率低或制作稳定性差的技术问题。

本发明涉及一种像素结构，其中包括数据线；扫描线，与所述数据线交错形成像素区；以及像素电极，设置在所述像素区内，包括第一侧边及从所述第一侧边延伸出的横跨部，所述第一侧边邻近一扫描线，所述横跨部绝缘地横跨所述扫描线。

在本发明所述像素结构中，所述横跨部的宽度小于所述第一侧边的长度。

在本发明所述像素结构中，所述像素电极还包括具有相对于所述第一侧边的第二侧边以及设置于所述第二侧边的缺口部。

在本发明所述像素结构中，所述横跨部的形状为矩形、三角形或阶梯形。

在本发明所述像素结构中，所述像素电极的缺口部的形状对应所述横跨部的形状。

本发明还涉及一种液晶显示装置，其中包括多个像素结构，每个像素结构包括：数据线；扫描线，与所述数据线交错形成像素区；以及像素电极，设置在所述像素区内，包括第一侧边及从所述第一侧边延伸出的横跨部，所述第一侧边邻近一扫描线，所述横跨部绝缘地横跨所述扫描线；以及驱动模块，用于驱动所述像素结构。

在本发明所述的液晶显示装置中所述横跨部的宽度小于所述第一侧边的长度。

在本发明所述的液晶显示装置中，所述像素电极还包括具有相对于所述第一侧边的第二侧边以及设置于所述第二侧边的缺口部。

在本发明所述的液晶显示装置中，所述横跨部的形状为矩形、三角形或阶梯形。

在本发明所述的液晶显示装置中，所述像素电极的缺口部的形状对应所述横跨部的形状。

本发明的像素结构及相应的液晶显示器通过设置横跨扫描线的横跨部来形成存储电容，提高了像素结构的开口率，并且该像素结构的制作稳定性好，解决了现有的像素结构及相应的液晶显示装置开口率低或制作稳定性差的技术问题。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1为一种现有技术的像素结构的结构示意图；

图2为另一种现有技术的像素结构的结构示意图；

图3为本发明的像素结构的一优选实施例的结构示意图；