[发明专利]电子部件

说明书

技术领域

本发明涉及电子部件，尤其涉及具有镀Sn皮膜的例如层叠陶瓷电容器等电子部件。

背景技术

作为成为本发明的背景的技术，例如国际公开第2006/134665号中公开了形成有以Sn作为主要成分的皮膜的构件、皮膜形成方法及焊料处理方法(参照专利文献1)。

在连接器用端子、半导体集成电路用的引线框等中，在通过镀Ni等形成的基底层上，利用软钎焊性良好的材料形成皮膜。这里，从近年的环境保护的观点出发，作为软钎焊性良好的皮膜，代替以往实施的Sn-Pb镀焊，通过不含Pb的镀Sn来形成皮膜。若这样形成镀Sn皮膜，则在皮膜上容易产生称为晶须的Sn的须状晶体。若晶须发生并生长，则有时在邻接的电极间引起短路。此外，若晶须从皮膜脱离并飞散，则飞散的晶须成为在装置内外引起短路的原因。

专利文献1中公开的技术中，以提供具有能够抑制这样的晶须发生的皮膜的构件为目的，特别是在形成以Sn作为主要成分的皮膜后，进行热处理，从而使基底层的Ni原子扩散到Sn的晶界中，形成Sn与Ni等第1金属的金属间化合物。该金属间化合物变成以面状扩展的薄片状(片状)，形成于Sn的晶界及基底层与皮膜之间。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2006/134665号

发明内容

发明所要解决的问题

然而，就专利文献1中公开的皮膜而言，晶须的抑制能力不充分。此外，即使在室温下，形成于Sn的晶界中的由Sn/Ni构成的薄片状的金属粒子进行生长，到达至以Sn为主要成分的皮膜的表面，形成氧化镍。若在以Sn为主要成分的皮膜表面存在氧化镍，则存在焊料润湿性变差的问题。

因此，具有以Sn为主要成分的皮膜作为最外层的例如层叠陶瓷电容器等电子部件中，期望具备不仅具有晶须抑制能力、并且焊料润湿性不劣化的电极的电子部件。

因此，本发明的主要目的在于提供具备具有抑制晶须的能力、并且焊料润湿性不劣化的电极的电子部件。

用于解决问题的方案

本发明为一种电子部件，其是具有镀Ni皮膜及形成于镀Ni皮膜上的镀Sn皮膜的电子部件，其特征在于，镀Sn皮膜具有Sn多晶结构，Ni含有比为10～20mol％且Sn含有比为80～90mol％的Ni/Sn合金粒子形成于镀Sn皮膜的Sn晶界中，在镀Sn皮膜与镀Ni皮膜的界面形成有由Ni₃Sn₄构成的金属间化合物层。

这样的电子部件中，金属间化合物层优选按照覆盖镀Ni皮膜的表面的95面积％以上的方式形成。

本发明所述的电子部件中，在电子部件的镀Sn皮膜中，通过在Sn晶界中形成具有上述的Ni/Sn含有比的薄片状的Ni/Sn合金粒子，从而妨碍Sn原子从Sn晶粒向Sn晶界的移动，即使在Sn晶界中产生晶须，也可抑制其生长。进而，通过在镀Sn皮膜与镀Ni皮膜之间形成有由Ni₃Sn₄构成的金属间化合物层，从而防止从镀Ni皮膜向镀Sn皮膜的Ni扩散，形成于Sn晶界中的薄片状的Sn/Ni合金粒子的生长不进行。因此，可防止薄片状的Sn/Ni合金粒子到达镀Sn皮膜的表面，能够良好地保持镀Sn皮膜的焊料润湿性。

为了这样防止从镀Ni皮膜向镀Sn皮膜的Ni扩散，阻止形成于Sn晶界中的薄片状的Sn/Ni合金粒子的生长，优选由Ni₃Sn₄构成的金属间化合物层覆盖Ni皮膜的表面的95面积％以上。

发明的效果

根据本发明，能够提供具备具有抑制晶须的能力、并且焊料润湿性不劣化的电极的电子部件。

本发明的上述目的、其它的目的、特征及优点由参照附图进行的以下的具体实施方式的说明更加清楚。

附图说明

图1是表示本发明所述的层叠陶瓷电容器的一个例子的截面图解图。

图2是实施例1的层叠陶瓷电容器中沿第1镀覆皮膜及第2镀覆皮膜的层叠方向切断而成的截面的电子显微镜照片图像。

图3是实施例1的层叠陶瓷电容器中将作为最外层的第2镀覆皮膜剥离的金属间化合物层的表面的电子显微镜照片图像。

具体实施方式

图1是表示本发明所述的层叠陶瓷电容器的一个例子的截面图解图。

图1所示的层叠陶瓷电容器10包含长方体状的陶瓷元件12。陶瓷元件12包含例如由钛酸钡系的电介体陶瓷构成的多个陶瓷层14作为电介体。这些陶瓷层14被层叠，在陶瓷层14间交替形成例如由Ni构成的内部电极16a及16b。