[发明专利]半导体器件、半导体器件设计方法、半导体器件设计装置以及程序

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体芯片，所述半导体芯片包括：

衬底；

形成在所述衬底上方的多层互连层；

在平面图中沿所述衬底的边缘布置的外周界单元列，所述外周界单元列具有至少一个第一I/O单元；

形成在所述外周界单元列的内周界侧处的内周界单元列，所述内周界单元列具有至少一个第二I/O单元；

设置在所述外周界单元列或者所述内周界单元列的至少任一个中的电势供应单元，所述电势供应单元为电源电势供应单元或者接地电势供应单元；

形成在所述多层互连层的最上层互连层中的电极焊盘，所述电极焊盘中的至少一个设置在所述第一I/O单元中，所述电极焊盘中的至少一个设置在所述电势供应单元中，所述电极焊盘中的至少一个设置在所述第二I/O单元中；

设置在所述最上层互连层之下的互连层中的第一电势供应互连，所述第一电势供应互连在与所述外周界单元列相同的方向上延伸，所述第一电势供应互连连接到所述第一I/O单元；

设置所述最上层互连层之下的所述互连层或者另一互连层中的第二电势供应互连，所述第二电势供应互连在与所述内周界单元列相同的方向上延伸，所述第二电势供应互连在平面图中位于所述第一电势供应互连的内周界侧，所述第二电势供应互连连接到所述第二I/O单元；以及

连接所述第一电势供应互连与所述第二电势供应互连的电势供应连接互连，

其中所述电势供应单元直接连接到所述第一电势供应互连或者所述第二电势供应互连中的任一个，并且所述电势供应单元通过所述第一电势供应互连或者所述第二电势供应互连中的一个和所述电势供应连接互连连接到所述第一电势供应互连或者所述第二电势供应互连中的另一个。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述电势供应连接互连形成于所述最上层互连层之下的所述互连层或者另一互连层中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述电势供应连接互连被形成为在平面图中与所述第一I/O单元的某些单元以及所述第二I/O单元的某些单元重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述电势供应单元设置在所述外周界单元列中，但是不设置在所述内周界单元列中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中具有所述电势供应单元的所述外周界单元列或者所述内周界单元列具有：

用作所述电势供应单元的电源电势供应单元和接地电势供应单元这两者；

用作所述第一电势供应互连的第一电源供应互连以及第一接地互连；

用作所述第二电势供应互连的第二电源供应互连和第二接地互连；以及

用作所述电势供应连接互连的电源连接互连和接地连接互连，所述电源连接互连将所述第一电源供应互连连接至所述第二电源供应互连，所述接地连接互连将所述第一接地互连连接至所述第二接地互连，

所述第一供应互连或者所述第二电源供应互连连接到所述电源电势供应单元，以及

所述第一接地互连或者所述第二接地互连连接到所述接地电势供应单元。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中包括在所述外周界单元列中的所述第一I/O单元和包括在向内靠近所述外周界单元列的所述内周界单元列中的所述第二I/O单元相对于沿所述衬底的所述边缘的方向上布置在相同位置处。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述电势供应连接互连从所述多个第一I/O单元的所述电极焊盘中的一个之下朝向所述第二I/O单元的所述电极焊盘中的一个之下延伸，并且从所述多个第一I/O单元的所述电极焊盘的另一个之下朝向所述第二I/O单元的所述电极焊盘的另一个之下延伸，以及

在所述多个第一I/O单元和所述多个第二I/O单元中的每个中的所述电势供应连接互连在与所述衬底的所述边缘垂直的方向上延伸，并且在所述第一I/O单元和所述第二I/O单元中的左半部分和右半部分关于所述第一I/O单元和第二I/O单元的每个中心利用相同形状重复。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中包括在所述外周界单元列中的所述第一I/O单元和包括在向内靠近所述外周界单元列的在所述内周界单元列中的所述第二I/O单元在沿所述衬底的所述边缘的方向上交替地布置。