[发明专利]防止MOSFET对管的驱动保护电路

说明书

技术领域

本发明属于一种电动汽车电机控制器中MOSFET三相全桥驱动保护电路，特别涉及一种防止MOSFET对管的驱动保护电路。

背景技术

随着对MOSFET应用范围的不断扩大，人们对于MOSFET保护电路的研究也越来越重视。现有的电动汽车电机控制器中的MOSFET三相全桥驱动电路是由单片机信号直接驱动或通过光电隔离器给驱动芯片驱动信号，当系统上电或下电时产生的脉冲干扰或驱动信号错误时，使两路驱动信号同时为高电平，驱动芯片同时输出两路高电平，使同相上下两桥MOSFET同时导通，即MOSFET对管产生的大电流将会使MOSFET 瞬间损坏。

发明内容

本发明是要解决现在技术存在的上述问题，提供一种可防止MOSFET三相全桥驱动电路中上下桥同时导通、保护MOSFET不被损坏的防止MOSFET对管的驱动保护电路。

本发明采取的技术解决方案是：

一种防止MOSFET对管的驱动保护电路，包括两路光电隔离器，其特殊之处是：在两路光电隔离器的输入端通过光电隔离器输入限流电阻分别接有逻辑门电路，在光电隔离器输出端和其电源端之间接有光电隔离器输出上拉电阻，在光电隔离器输出端还接有非门电路Ⅱ，逻辑门电路输入端、非门电路Ⅱ输出端分别为驱动信号输入端和驱动信号输出端，光电隔离器输入信号 “0”时非门电路Ⅱ输出信号为“0”，当驱动输入信号为“0”、“0”时驱动输出信号为“0”、“0”，当驱动输入信号为“0”、“1”时驱动输出信号为“0”、“1”， 当驱动输入信号为“1”、“0”时驱动输出信号为“1”、“0”，当驱动输入信号为“1”、“1”时驱动输出信号为“0”、“1”， 其中”1”代表电压为逻辑高电压，”0”代表电压为逻辑低电平。

所述逻辑门电路是由两个串联的非门电路Ⅰ、两个与门电路组成，其中两路驱动信号输入端与两个非门电路Ⅰ输出端分别与对应的与门电路相连，二个与门电路输出端与光电隔离器输入限流电阻相连。

本发明的有益效果是：电路简单、性能可靠、成本低，在MOSFET三相全桥驱动电路中使用该驱动保护电路，驱动信号在传输过程中采用通过光电隔离器来实现信号隔离，以抑制传输干扰，该驱动保护电路通过在光电耦合器输入端采用逻辑门电路和在光电耦合器输出端采用逻辑非门电路，以保护同相上下两桥MOSFET不同时导通。可最大程度的降低驱动信号由于干扰或驱动信号控制错误等原因造成的MOSFET对管故障。在MOSFET三相全桥驱动电路中使用该驱动保护电路，可消除由于系统通电和系统断电时刻的光电耦合器两侧的隔离电源由于建立或消失不同步而造成的MOSFET对管故障。

附图说明

图1是本发明的电路原理图；

图中：U1A、U1B-非门电路Ⅰ、U2A、U2B-与门电路，U3A、U3B-光电隔离器，U4A、U4B-非门电路Ⅱ，U5-MOSFET驱动芯片，Q1、Q2-上、下桥，R1、R2-光电隔离器输入限流电阻，R3、R4-光电隔离器输出上拉电阻。

具体实施方式

如图所示，该防止MOSFET对管的驱动保护电路，包括两路光电隔离器U3A、U3B，在两路光电隔离器U3A、U3B的输入端通过光电隔离器输入限流电阻R1、R2接有由二个串联的非门电路ⅠU1A、U1B和二个与门电路U2A、U2B构成的逻辑门电路，在光电隔离器U3A、U3B输出端PH1/2、PL2/2和其电源端V_CC之间接有光电隔离器输出上拉电阻R3、R4，在光电隔离器U3A、U3B输出端PH1/2、PL2/2还接有非门电路ⅡU4A、U4B，非门电路ⅠU1A、U1B输入端以及非门电路U4A、U4B的输出端分别为驱动信号输入端PH1、PL2和驱动信号输出端PH1/3、PL2/3，其中两路驱动信号输入端PH1、PL2与两个非门电路ⅠU1A、U1B输出端分别与对应的与门电路U2A、U2B输入端相连，二个与门电路U2A、U2B输出端PH1/1、PL2/1与光电隔离器输入限流电阻R1、R2相连。