[发明专利]光谱选择性光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种光谱选择性光电探测器，包括基底以及在基底上依次设置的等离激元结构层和掺锡氧化铟层，其特征在于，所述等离激元结构层包括多个介质结构单元，每个介质结构单元包括一条状主吸收窗口以及一对或多对条状吸收调节窗口，所述条状吸收调节窗口位于条状主吸收窗口一侧或两侧。

2.根据权利要求1所述的光谱选择性光电探测器，其特征在于，所述基底和等离激元结构层之间进一步包括依次按照远离基底方向设置于基底上的N型掺杂半导体层和粘附层。

3.根据权利要求1所述的光谱选择性光电探测器，其特征在于，所述基底为PIN光电二极管、雪崩光电二极管中任意一种。

4.根据权利要求1所述的光谱选择性光电探测器，其特征在于，所述每个介质结构单元中所有条状吸收调节窗口均相互平行且与条状主吸收窗口相垂直。

5.根据权利要求4所述的光谱选择性光电探测器，其特征在于，所述条状吸收调节窗口和条状主吸收窗口通过绝缘介质隔离。

6.根据权利要求1所述的光谱选择性光电探测器，其特征在于，所述介质结构单元的材质为金属材料或石墨烯材料，所述金属材料为金、银、铝、铜、钛、镍、铬中任意一种或几种组合物。

7.根据权利要求2所述的光谱选择性光电探测器，其特征在于，所述粘附层的材料为Cr、Ti、Ni、TiN中任意一种或几种组合物。

8.一种如权利要求1所述的光谱选择性光电探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤： 1）提供基底； 2）在基底上生长等离激元结构层并图形化，以形成多个介质结构单元； 3）在等离激元结构层上生长掺锡氧化铟层。

9.根据权利要求8所述的光谱选择性光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤2）的图形化方法采用电子束光刻、纳米压印技术、电子束蒸发以及磁控溅射中任意一种。

10.根据权利要求8所述的光谱选择性光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤1）与步骤2）之间还包括步骤：在所述基底和等离激元结构层之间依次按照远离基底方向在基底的裸露表面上生长N型掺杂半导体层和粘附层。

11.根据权利要求8所述的光谱选择性光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤2）与步骤3）之间还包括步骤：在等离激元结构层的裸露表面生长绝缘介质以隔离条状吸收调节窗口和条状主吸收窗口。