[发明专利]具可调适米勒补偿的电压调节器

权利要求书

1.一种可调适米勒补偿的电压调节器，包含：

一第一放大器，耦接一参考电压及一回馈电压；

一第二放大器，耦接该第一放大器的输出；

一可调适补偿电路，具有二端，分别耦接至该第二放大器的输入端及输出端，该可调适补偿电路包含串接的补偿电容器及补偿晶体管；

一偏压电路，用来产生一适当的偏压控制电压，以动态控制可调适补偿电路，使得该补偿晶体管操作于信道弱反转或信道强反转的深三极管区；和

一输出电路，耦接该放大器的输出，该输出电路产生该电压调节器的输出电压，据以产生该回馈电压；

其中该补偿晶体管受控于该偏压控制电压，使其电阻随电压调节器的负载而改变；及

其中该偏压电路复制该输出电路的电流的至少一部分以产生一镜射电流，且根据该镜射电流以产生该偏压控制电压。

2.如权利要求1所述的可调适米勒补偿的电压调节器，其中该第一放大器包含差动放大器或折叠式串接（folded-cascode）放大器，该第一放大器具有非反相输入端及反相输入端，用来分别耦接该参考电压及该回馈电压。

3.如权利要求1所述的可调适米勒补偿的电压调节器，其中该第二放大器包含共源极放大器。

4.如权利要求3所述的可调适米勒补偿的电压调节器，其中该第二放大器是由串接的PMOS晶体管与NMOS晶体管所组成，该PMOS晶体管的漏极电性连接至该NMOS晶体管的漏极，其中该NMOS晶体管或该PMOS晶体管的栅极作为该第二放大器的输入端，且该PMOS晶体管与该NMOS晶体管的连接节点作为该第二放大器的输出端。

5.如权利要求1所述的可调适米勒补偿的电压调节器，其中该可调适补偿电路还包含一补偿电阻器，串接于该补偿电容器及该补偿晶体管。

6.如权利要求1所述的可调适米勒补偿的电压调节器，其中该补偿晶体管包含一MOS晶体管，其栅极耦接该偏压控制电压。

7.如权利要求1所述的可调适米勒补偿的电压调节器，其中该偏压电路包含：

一镜射晶体管，用来产生该镜射电流；和

至少一个二极管连接型式的晶体管，串接于该镜射晶体管；

其中该镜射晶体管与该二极管连接型式的晶体管之间的连接节点提供该偏压控制电压。

8.如权利要求7所述的可调适米勒补偿的电压调节器，其中该输出电路包含：

一分压器，用来产生该回馈电压；及

一功率晶体管，串接于该分压器，其中该功率晶体管的电流根据该负载而改变，且该功率晶体管的电流的至少一部分被复制到该偏压电路的镜射晶体管。

9.如权利要求7所述的可调适米勒补偿的电压调节器，其中当该负载增加，则该偏压控制电压也跟着增加，且该二极管连接型式的晶体管的过驱动电压大于零，使得该补偿晶体管操作于通道强反转的深三极管区；且当该负载降低，则该偏压控制电压也跟着降低，且该二极管连接型式的晶体管的过驱动电压小于零，使得该补偿晶体管操作于通道弱反转的深三极管区。

10.如权利要求9所述的可调适米勒补偿的电压调节器，其中该偏压电路还包含一偏压次电路，其不受该负载的影响，用来提供一内部偏压给该二极管连接型式的晶体管的其中之一，由此，当零负载时，该补偿晶体管操作于通道弱反转的深三极管区。

11.如权利要求10所述的可调适米勒补偿的电压调节器，其中该偏压次电路包含一MOS晶体管，其栅极为固定偏压，其漏极电性连接至该二极管连接型式的晶体管其中之一的栅极。