[发明专利]基于PLZT的电光调Q开关无效

专利信息
申请号: 201210135519.1 申请日: 2012-05-02
公开(公告)号: CN102723662A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 巩马理;王涛;柳强;闫平;黄磊;张海涛;刘欢 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01S3/115 分类号: H01S3/115
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100084 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 plzt 电光 开关
【权利要求书】:

1.一种基于PLZT的电光调Q开关,其特征在于,包括:PLZT陶瓷、第一电极、第二电极和绝缘的支持件,所述第一电极和第二电极分别与所述PLZT陶瓷连接且分别位于所述PLZT陶瓷的两端,所述PLZT陶瓷、第一电极和第二电极均固定在所述支持件上,且保持PLZT陶瓷的通光面不受所述支持件遮挡。

2.如权利要求1所述的基于PLZT的电光调Q开关,其特征在于,所述支持件包括第一支持子件和第二支持子件,所述PLZT陶瓷、第一电极和第二电极通过绝缘粘合剂固定在所述第一支持子件和第二支持子件上。

3.如权利要求1所述的基于PLZT的电光调Q开关,其特征在于,所述支持件包括第一支持子件和第二支持子件,所述第一支持子件和第二支持子件上设有用于固定所述PLZT陶瓷、第一电极和第二电极的凹槽。

4.如权利要求3所述的基于PLZT的电光调Q开关,其特征在于,所述凹槽的一侧面上设有螺纹孔,用于安装将所述PLZT陶瓷、第一电极和第二电极紧固在所述凹槽中的螺钉。

5.如权利要求1~4中任一项所述的基于PLZT的电光调Q开关,其特征在于,所述PLZT陶瓷的通光面上的镀有增透膜。

6.如权利要求1~4中任一项所述的基于PLZT的电光调Q开关,其特征在于,所述PLZT陶瓷的通光面厚度小于0.3mm。

7.如权利要求1~4中任一项所述的基于PLZT的电光调Q开关,其特征在于,在所述PLZT陶瓷分别与第一电极和第二电极接触的表面上均镀有电极层。

8.如权利要求1~4中任一项所述的基于PLZT的电光调Q开关,其特征在于,所述PLZT陶瓷与第一电极和第二电极通过导电胶连接。

9.如权利要求1~4中任一项所述的基于PLZT的电光调Q开关,其特征在于,所述第一电极和第二电极的材料为无氧紫铜。

10.如权利要求1~4中任一项所述的基于PLZT的电光调Q开关,其特征在于,所述第一电极和第二电极设有用于连接电源的导线。

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