[发明专利]一种LED芯片及其相应的制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，在所述衬底的表面上形成外延层，所述外延层由下至上依次沉积包含有N型层、发光层和P型层；

在所述P型层上沉积绝缘材料，通过刻蚀绝缘材料形成银迁移阻挡层和电流阻挡层，在所述银迁移阻挡层和电流阻挡层之间形成窗口，每个窗口底部暴露出P型层；

在所述每个窗口形成金属功能层。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：形成金属功能层之后，包括如下步骤：

在所述银迁移阻挡层、电流阻挡层和金属功能层的表面形成第一键合层；

提供一基板，在所述基板的一面形成第二键合层，另一面形成P型焊盘；

将第一键合层与第二键合层进行键合，剥离衬底；

在所述的N型层表面制作N焊盘；

制成LED芯片。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述金属功能层为包含有依次形成于P型层上的P型接触层、反射镜层或P型接触层、反射镜层和防扩散层。

4.根据权利要求3所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：采用化学气相沉积、蒸发或者溅射形成所述银迁移阻挡层。

5.根据权利要求4所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层使用的材料为绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述绝缘材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛中的一种或组合。

7.根据权利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的厚度为100nm-10000nm。

8.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述反射镜层的厚度为50nm-500nm。

9.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的外框尺寸等于LED芯片边框尺寸。

10.根据权利要求9所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的外框尺寸为200μm-20mm。

11.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的内框尺寸等于反射镜层边框尺寸。

12.根据权利要求11所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的内框尺寸为200μm-20mm。

13.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的外框尺寸等于LED芯片边框尺寸，其内框尺寸等于反射镜层边框尺寸。

14.根据权利要求13所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层的外框尺寸和内框尺寸差为5μm-200μm。

15.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于：所述银迁移阻挡层外框和内框形状为正方形、长方形、圆形、或多边形中的一种或组合。

16.一种LED芯片，其特征在于，至少包括：

外延层，所述外延层包括N型层、位于所述N型层上的发光层、及位于所述发光层上的P型层；

金属功能层，所述金属功能层位于所述P型层上；

银迁移阻挡层，所述银迁移阻挡层位于所述P型层上，且位于所述金属功能层外围。

17.根据权利要求16所述的LED芯片，其特征在于：所述金属功能层包含有依次形成于P型层表面的P型接触层、反射镜层或P型接触层、反射镜层和防扩散层。

18.根据权利要求16或17中任一项所述的LED芯片，其特征在于：位于外延层相反的金属功能层和银迁移阻挡层的表面依次形成有第一键合层和第二键合层，位于第二键合层表面形成有基板，位于所述基板表面形成有P型焊盘，位于所述N型层表面制作有N型焊盘；在所述P型层表面正对于所述N型焊盘部位形成有贯穿金属功能层的电流阻挡层。

19.根据权利要求16所述的LED芯片，其特征在于：所述N型层为表面粗化的N型层。

20.根据权利要求18所述的LED芯片，其特征在于：所述银迁移阻挡层使用的材料为绝缘材料。