[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210135041.2 | 申请日： | 2012-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103377948A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 罗军;邓坚;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，包括步骤：
在衬底上形成栅极堆叠结构，在栅极堆叠结构两侧的衬底中形成源漏区；
在栅极堆叠结构以及源漏区上形成栅极保护层；
执行离子注入，在源漏区表面形成非晶硅区；
在栅极堆叠结构以及非晶区上淀积金属层；
执行退火，使得金属层与非晶硅区反应形成金属硅化物。
2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，执行退火的同时，离子注入的离子在金属硅化物与源漏区之间的界面处形成离子分凝区。
3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，在执行离子注入之前或者之后，刻蚀栅极保护层形成栅极侧墙。
4.如权利要求1的半导体器件制造方法，对于NMOS而言，离子注入的离子包括As、P、Sb、AsH3、PH3及其组合；对于PMOS而言，非晶化离子注入的离子包括B、B F2、B2F4、Al、Ga、In及其组合。
5.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，离子注入的剂量为1E15～1E17cm-2，注入能量为5KeV～200KeV。
6.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，金属层为镍基金属层，包括Ni、Ni-Pt、Ni-Co、Ni-Pt-Co。
7.如权利要求5的半导体器件制造方法，其中，非Ni元素的总含量小于等于10％。
8.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，退火为两步退火，先执行第一退火使得金属层与非晶硅区反应形成富金属相硅化物，然后执行第二退火使得富金属相硅化物转变为金属硅化物。
9.如权利要求8的半导体器件制造方法，其中，第一退火温度低于第二退火温度。
10.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，金属硅化物包括NiSi、NiPtSi、NiCoSi、NiPtCoSi。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
