[发明专利]内存装置控制器及内存存取方法有效
| 申请号: | 201210134195.X | 申请日: | 2012-05-02 |
| 公开(公告)号: | CN102768861B | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
| 发明(设计)人: | 王嘉维 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44;G06F12/00 |
| 代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 于淼;张一军 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 内存 装置 控制器 存取 方法 | ||
1.一种内存装置控制器,该内存装置控制器用于存取内存装置的内存,且 该内存具有数据存储区域以及数据校正区域,该内存装置控制器包括:
模式选择单元,用于根据该内存的操作电压来选择该内存装置控制器的模 式;
其中,当该内存在第一操作电压下工作时,该模式选择单元选择该内存装 置控制器的第一模式,且在该第一模式下,该内存装置控制器将输入数据写入 该数据存储区域以作为存储数据,且该内存装置控制器从该数据存储区域读出 该存储数据以作为输出数据;以及
其中,当该内存在第二操作电压下工作时,该模式选择单元选择该内存装 置控制器的第二模式,且在该第二模式下,该内存装置控制器执行校正功能以 对该输入数据进行编码以产生已编码输入数据、或者将该已编码输入数据中的 输入数据及校验位数据分别写入该数据存储区域以及该数据校正区域以分别作 为该存储数据以及校正数据、或者读出该存储数据及该校正数据以及对该存储 数据及该校正数据进行译码以产生该输出数据。
2.如权利要求1所述的内存装置控制器,其特征在于,该内存更包括备份 行区域,且在该第二模式下,该内存装置控制器更致能该备份行区域以修复该 存储数据。
3.如权利要求1所述的内存装置控制器,其特征在于,该第二操作电压低 于该第一操作电压。
4.如权利要求1所述的内存装置控制器,其特征在于,该内存装置控制器 更包括:
编码器,用于接收该输入数据且对该输入数据进行编码以产生该已编码输 入数据;
第一复用器,用于接收该输入数据以及该已编码输入数据,且选择性地输 出该输入数据与该已编码输入数据的其中之一以写入至该内存;
译码器,用于接收分别来自该数据存储区域的该存储数据以及该数据校正 区域的该校正数据,且对该存储数据以及该校正数据进行译码以产生已译码数 据;以及
第二复用器,用于接收来自该数据存储区域的该存储数据以及来自该译码 器的该已译码数据,且选择性地输出该存储数据与该已译码数据的其中之一以 作为该输出数据。
5.如权利要求4所述的内存装置控制器,其特征在于,当该内存装置控制 器在该第一模式下工作时,该第一复用器输出该输入数据以写入至该内存,且 该第二复用器输出该存储数据以作为该输出数据。
6.如权利要求4所述的内存装置控制器,其特征在于,当该内存在该第二 操作电压下工作时,该第一复用器输出该已编码输入数据以写入至该内存,且 该第二复用器输出该已译码数据以作为该输出数据。
7.如权利要求4所述的内存装置控制器,其特征在于,该内存更包括备份 行区域,且在该第二模式下,该内存装置控制器更致能该备份行区域以取代至 少一部分的该数据存储区域。
8.一种内存装置控制器,该内存装置控制器用于存取该内存装置的内存, 该内存装置控制器包括:
模式选择单元,用于根据该内存的操作电压来选择该内存装置控制器的模 式;
其中,当该内存在第一操作电压下工作时,内存装置控制器在第一模式下 工作,该内存装置控制器用于将输入数据写入该内存的数据存储区域以作为存 储数据,且该内存装置控制器用于自该数据存储区域读出该存储数据以作为输 出数据;以及
其中,当该以及当该内存在第二操作电压下工作时,内存装置控制器在第 二模式下工作,该内存装置控制器通过执行修复操作来存取该内存。
9.如权利要求8所述的内存装置控制器,其特征在于,该模式选择单元根 据该内存的存取是否失败来选择该内存装置控制器的该模式;
其中,当该内存的存取没有失败时,该模式选择单元选择该第一模式;以 及
其中,当该内存的存取失败时,该模式选择单元选择该第二模式。
10.如权利要求8所述的内存装置控制器,其特征在于,当该内存装置控制 器在该第二模式下工作时,该内存装置控制器通过经校正路径执行错误校正编 码功能来执行该修复操作。
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