[发明专利]图像传感器无效
| 申请号： | 201210134129.2 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102629619A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 方娜;田犁;汪辉;苗田乐;陈杰 | 申请（专利权）人： | 上海中科高等研究院 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括多个像素区域，每个像素区域中有一感光器件，每个感光器件表面上方的周围包围有侧墙反射层，构成用于将入射光导入该感光器件的通孔结构，该侧墙反射层包括第一介质材料和第二介质材料交替形成的周期性叠层结构，其中第一介质材料和第二介质材料的介电常数不同。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述周期性叠层结构的周期大于等于4。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，每个感光器件的表面上方覆盖有层间介质层。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述层间介质层为介电常数小于硅的介电常数的介质材料层。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述层间介质层为一层。
6.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述层间介质层为多层，自上而下不同层间介质层的介电常数递增，且最底层层间介质层的介电常数小于硅。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述感光器件为感光二极管。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述侧墙反射层中第一介质材料和第二介质材料厚度相等。
9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述侧墙反射层中第一介质材料和第二介质材料厚度不等。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述侧墙反射层还包括第三介质材料和第四介质材料交替形成的周期性叠层结构，其中第三介质材料和第四介质材料的介电常数不同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
