[发明专利]栅极半导体器件的替换

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一开口和第二开口的半导体衬底；

在所述衬底上形成介电层；

在所述第一开口中的所述介电层上形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上沉积功函层；以及

在所述功函层上形成填充金属，其中，所述填充金属填充了所述第一开口。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第二开口中的所述介电层上形成所述蚀刻停止层，同时在所述第一区域中形成所述蚀刻停止层。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

此后，将所述蚀刻停止层从所述第二开口中去除。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第二开口中的所述第一介电层上形成第二功函层，其中，所述第二功函层与所述介电层相接合。

5.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一器件区域上形成伪栅极结构；

在邻近所述伪栅极结构的位置上注入源极区域和漏极区域中的至少一个；

在所述注入之后，去除所述伪栅极结构；

在去除所述伪栅极结构之后，在所述第一器件区域上形成栅极介电层；

在所述栅极介电层上形成蚀刻停止层；以及

在所述蚀刻停止层上形成金属栅电极，其中，所述金属栅电极包括形成在所述蚀刻停止层上的功函层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第一区域中的所述蚀刻停止层上形成所述金属栅电极包括：

沉积所述功函层；

在覆盖所述功函层的所述第一区域上形成掩模元件；

在所述第一区域上形成所述掩模元件的同时，从所述衬底的第二区域中去除所述功函层。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，通过化学汽相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)以及物理汽相沉积(PVD)中的至少一种形成所述蚀刻停止层。

8.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一栅极结构，形成在所述半导体衬底上，其中，所述第一栅极结构包括栅极介电层、蚀刻停止层、第一功函金属、第二功函金属和填充金属；以及

第二栅极结构，形成在所述半导体器件上，其中，所述第二栅极结构包括栅极介电层、第二功函金属和填充金属。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二栅极结构包括所述蚀刻停止层。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一功函金属是p型功函金属，所述第二功函金属是n型功函金属。