[发明专利]一种MRI磁信号增强器件

权利要求书

1.一种MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述MRI磁信号增强器件包括外壳以及设置在外壳内的至少一层负磁导率超材料，所述负磁导率超材料包括基板及多个周期性阵列排布在基板两侧面的第一人造微结构和第二人造微结构，所述第一人造微结构和第二人造微结构通过一个金属过孔相连，所述第一人造微结构和第二人造微结构均为方形螺绕环，所述方形螺绕环绕线圈数为3圈，所述第一人造微结构和第二人造微结构的尺寸为19.5mm×19.5mm，所述基板排布有所述第一人造微结构和第二人造微结构的两侧面垂直于MRI成像设备的磁信号接收线圈。

2.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述MRI磁信号增强器件的尺寸为300mm×300mm。

3.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述MRI成像设备的场强为1.5T。

4.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述第一人造微结构和第二人造微结构的线宽均为0.50-1.50mm。

5.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述第一人造微结构和第二人造微结构的线间距均为0.05-0.15mm。

6.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述第一人造微结构和第二人造微结构的线厚度均为0.03-0.05mm。

7.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述基板包括第一基板和第二基板，第一基板和第二基板均为FR-4有机高分子基板或陶瓷基板。

8.根据权利要求7所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述第一基板厚度为0.15-0.20mm。 

9.根据权利要求7所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述第二基板的厚度为0.05-0.10mm。

10.根据权利要求1所述的MRI磁信号增强器件，其特征在于，所述金属过孔的孔径为0.50-0.90mm。