[发明专利]一种液晶材料的光配向方法及装置

权利要求书

1.一种液晶材料的光配向方法，其特征在于，所述液晶材料的光配向方法包括：

提供一液晶材料层，所述液晶材料层添加有反应单体；

在电场的作用下，利用辐射光照射所述液晶材料层，以使所述反应单体发生聚合反应，进而实现所述液晶材料层的配向，其中所述反应单体的聚合反应过程包括第一阶段以及位于所述第一阶段之后的第二阶段，所述辐射光在所述第一阶段具有第一照度，且在所述第二阶段具有第二照度，所述第一照度小于所述第二照度。

2.根据权利要求1所述的液晶材料的光配向方法，其特征在于，所述反应单体在所述第一阶段开始时具有第一浓度，且所述第二阶段开始时具有第二浓度，其中所述第二浓度为所述第一浓度的e^-1/2倍，且所述第二照度为所述第一照度的e^1/2倍。

3.根据权利要求1所述的液晶材料的光配向方法，其特征在于，控制所述辐射光在所述第一阶段和所述第二阶段的脉冲宽度和/或脉冲频率，以使所述第一照度小于所述第二照度。

4.根据权利要求1-3任一项所述的液晶材料的光配向方法，其特征在于，所述辐射光在所述第一阶段相对于所述反应单体具有第一光子激发效率和第一摩尔消光系数，且在所述第二阶段相对于所述反应单体具有第二光子激发效率和第二摩尔消光系数，其中所述第一光子激发效率小于所述第二光子激发效率，所述第一摩尔消光系数小于所述第二摩尔消光系数。

5.根据权利要求4所述的液晶材料的光配向方法，其特征在于，控制所述辐射光在所述第一阶段和所述第二阶段的波长，以使所述第一光子激发效率小于所述第二光子激发效率，所述第一摩尔消光系数小于所述第二摩尔消光系数。

6.根据权利要求1所述的液晶材料的光配向方法，其特征在于，所述反应单体的聚合反应过程进一步包括位于所述第二阶段之后的第三阶段，其中所述辐射光在所述第三阶段具有第三照度，所述第二照度小于所述第三照度。

7.根据权利要求6所述的液晶材料的光配向方法，其特征在于，所述辐射光在所述第三阶段以不间断方式照射所述液晶材料层。

8.根据权利要求6或7所述的液晶材料的光配向方法，其特征在于，所述辐射光在所述第一阶段相对于所述反应单体具有第一光子激发效率和第一摩尔消光系数，在所述第二阶段相对于所述反应单体具有第二光子激发效率和第二摩尔消光系数，且在所述第三阶段相对于所述反应单体具有第三光子激发效率和第三摩尔消光系数，其中所述第一光子激发效率小于所述第二光子激发效率，所述第二光子激发效率小于所述第三光子激发效率，所述第一摩尔消光系数小于所述第二摩尔消光系数，且所述第二摩尔消光系数小于所述第三摩尔消光系数。

9.一种液晶材料的光配向装置，其特征在于，所述液晶材料的光配向装置包括：

电场发生器，用于产生一电场；

辐射光发生器，用于产生一辐射光，以使添加于液晶材料层中的反应单体在所述电场和所述辐射光的作用下发生聚合反应，进而实现所述液晶材料层的配向，其中所述反应单体的聚合反应过程包括第一阶段以及位于所述第一阶段之后的第二阶段，所述辐射光发生器控制所述辐射光在所述第一阶段具有第一照度，且在所述第二阶段具有第二照度，所述第一照度小于所述第二照度。

10.根据权利要求9所述的液晶材料的光配向装置，其特征在于，所述反应单体的聚合反应过程进一步包括位于所述第二阶段之后的第三阶段，其中所述辐射光发生器控制辐射光在所述第三阶段具有第三照度，所述第二照度小于所述第三照度。