[发明专利]一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体及其制备方法有效
| 申请号： | 201210132777.4 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102642861A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 戴李宗;肖文军;吴廷华;许一婷;罗伟昂 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;H01F1/40;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一维介孔晶 氧化锌 掺杂 半导体 及其 制备 方法 | ||
1.一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体，其特征在于为过渡金属掺杂ZnO基DMSs一维介孔晶纳米材料，其分子式为Zn1-xTMxO，其中TM为过渡金属，x为掺杂成分的百分比，x＝0.01～0.10；所述过渡金属为Ni。
2.如权利要求1所述一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)将锌盐溶解在离子液体中，浓度为0.5～4wt％，加热至溶液透明；所述锌盐为Zn(CH3COO)2·2H2O，Zn(NO3)2·4H2O或ZnCl2；所述离子液体为N(C4H9)4OH·30H2O，N(C3H7)4OH·30H2O或N(C2H5)4OH·30H2O；
2)往步骤1)制得的溶液中加入过渡金属盐至全部溶解，得混合溶液；所述过渡金属盐为Ni的金属盐，过渡金属盐的阴离子与锌盐的阴离子一致；
3)将步骤2)制得的混合溶液加热回流，自然冷却至室温，将所得到沉淀依次用水和乙醇洗涤，得到的粉末干燥，即得具有室温铁磁性的一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体。
3.如权利要求2所述一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述加热的温度为20～40℃。
4.如权利要求2所述一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述过渡金属盐与锌盐的摩尔比为1∶99～9。
5.如权利要求2所述一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述加热的温度为80～110℃，回流的时间为20～30h。
6.如权利要求2所述一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述将所得到沉淀依次用水和乙醇洗涤，是将所得到沉淀用水洗涤2～4次，然后用乙醇洗涤2～4次；所述干燥的温度为50～80℃，干燥的时间为5～8h。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210132777.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
