[发明专利]一种纳米结构液晶相位调制器无效
| 申请号: | 201210131930.1 | 申请日: | 2012-05-02 |
| 公开(公告)号: | CN103383509A | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
| 发明(设计)人: | 李青;严静;崔勇扬;陈静 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
| 主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/133 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 张惠忠 |
| 地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 纳米 结构 液晶 相位 调制器 | ||
1.一种纳米结构液晶相位调制器,其特征在于包括由前基板(1)、后基板(5)构成的液晶屏,前基板(1)由依次布置的前基底玻璃(2)、透明导电薄膜构成的公共电极层(3)、覆盖在公共电极层(3)上的上取向层(4)构成,后基板(5)由依次布置的后基底玻璃(6)、透明导电薄膜构成的相控单元底层电极(7)、覆盖在底层电极(7)上的下取向层(8)、与相控单元底层电极(7)接触的 ZnO纳米棒电极(9)构成,上取向层(4)上靠近下取向层(8)的一侧喷散球状衬垫料或棒状衬垫料 (10);前基板(1)、球状衬垫料或棒状衬垫料 (10)、后基板(5)之间封成一定厚度的液晶屏,灌入向列相液晶(11),通过相控单元底层电极(7)和公共电极层(3)间电压值,形成纳米结构液晶相位调制器。
2.根据权利要求1所述的纳米结构液晶相位调制器,其特征在于上述ZnO纳米棒电极(9)的总直径为100nm~800nm,ZnO纳米棒电极(9)由至少一根 ZnO纳米棒构成。
3.根据权利要求1或2所述的纳米结构液晶相位调制器,其特征在于上述相控单元底层电极(7)为形成一维阵列的条状电极(12),在条状电极(12)上设置ZnO纳米棒电极稀疏阵(13),通过控制各条状电极(12)与公共电极层(3)间的电压值,形成一维阵列的纳米结构液晶相位调制器。
4.根据权利要求3所述的纳米结构液晶相位调制器,其特征在于上述条状电极(12)宽度为1μm~10μm。
5.根据权利要求3所述的纳米结构液晶相位调制器,其特征在于上述公共电极层(3)为前基板条状电极(14),前基板条状电极(14)的长度方向与条状电极(12)的长度方向垂直,条状电极(12)上设置ZnO纳米棒电极稀疏阵(13);通过控制各前基板条状电极(14)与各条状电极(12)间的电压值,形成二维阵列的纳米结构液晶相位调制器。
6.根据权利要求5所述的纳米结构液晶相位调制器,其特征在于上述前基板条状电极(14)的宽度为1μm~10μm。
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