[发明专利]半导体器件及其装配方法无效

专利信息
申请号: 201210131114.0 申请日: 2012-04-10
公开(公告)号: CN103367286A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 贡国良;邱书楠;徐雪松 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 刘光明;穆德骏
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 装配 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

安装件,具有标记和外部连接器焊盘;

半导体管芯,具有在接触表面上的接触电极和在安装表面上的导电层,所述安装表面与所述接触表面相对,其中所述导电层延伸到所述半导体管芯的至少一个侧面区域上;

导电体,将所述接触电极耦合至相应的所述外部连接器焊盘;以及

焊料合金,将所述半导体管芯连接至所述标记,其中所述焊料合金设置在所述标记和所述导电层之间,并且在所述标记与所述安装表面和所述侧面区域之间提供连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述导电层延伸到所述半导体管芯的四个侧面区域上。

3.如权利要求2所述的半导体器件,其中,所述侧面区域中的每个包括第一垂直表面和第二垂直表面,所述第二垂直表面通过至少一个拐角与所述第一垂直表面分开,每个侧面区域的所述第一垂直表面邻近所述安装表面,并且每个侧面区域的所述第二垂直表面邻近所述接触表面,以及其中所述导电层覆盖所述第一垂直表面和所述安装表面。

4.如权利要求3所述的半导体器件,其中,所述导电层为完全覆盖所述第一垂直表面和所述安装表面的连续层。

5.如权利要求4所述的半导体器件,其中,每个第一垂直表面是所述侧面区域中凹槽的一部分。

6.如权利要求5所述的半导体器件,其中,所述凹槽在所述第一垂直表面和所述第二垂直表面之间形成第三表面,并且其中所述导电层完全覆盖所述第三表面。

7.如权利要求6所述的半导体器件,其中,所述焊料合金填充所述凹槽,使得所述焊料合金被连接到所述标记以及在第三表面、第一垂直表面和安装表面处的所述导电层。

8.如权利要求3所述的半导体器件,其中,所述第一垂直表面与所述第二垂直表面成角度。

9.如权利要求8所述的半导体器件,其中,所述焊料合金填充在所述标记和所述第一垂直表面之间形成的空间。

10.一种半导体管芯,包括:

具有相关接触电极的接触表面;

与所述接触表面相对的安装表面;

在所述接触表面和所述安装表面之间的侧面区域;以及

沉积在所述安装表面和至少一个所述侧面区域上的导电层,并且其中所述导电层延伸到所述半导体管芯的四个侧面区域上。

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