[发明专利]半导体装置及电子设备有效
| 申请号： | 201210130042.8 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102646698A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 大沼英人;饭洼阳一;山本孔明;牧野贤一郎;下村明久;比嘉荣二;沟井达也;永野庸治;井坂史人;挂端哲弥;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张金金;卢江 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电子设备 | ||
1.一种半导体装置，包括：
绝缘衬底上的绝缘层；
所述绝缘层上的接合层；以及
所述接合层上的单晶半导体层，
其中，所述单晶半导体层的上部表面的凹凸形状的均方根粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于10nm。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述绝缘层包含氧氮化硅膜或氮氧化硅膜。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述单晶半导体层具有(100)面作为主表面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述单晶半导体层具有(110)面作为主表面。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述凹凸形状的各凹部或凸部的宽度的平均值为大于或等于60nm且小于或等于120nm，
并且，所述各凹部或凸部的宽度是以平均高度测量的。
6.一种半导体装置，包括：
绝缘衬底上的绝缘层；
所述绝缘层上的接合层；以及
所述接合层上的单晶半导体层，
其中，所述单晶半导体层的上部表面的凹凸形状的最大高度差为大于或等于5nm且小于或等于250nm。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述绝缘层包含氧氮化硅膜或氮氧化硅膜。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述单晶半导体层具有(100)面作为主表面。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述单晶半导体层具有(110)面作为主表面。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中，所述凹凸形状的各凹部或凸部的宽度的平均值为大于或等于60nm且小于或等于120nm，
并且，所述各凹部或凸部的宽度是以平均高度测量的。
11.一种半导体装置，包括：
容许温度极限为700℃或以下的衬底；
所述衬底上的绝缘层；
所述绝缘层上的接合层；以及
所述接合层上的单晶半导体层，
其中，所述单晶半导体层的上部表面的凹凸形状的均方根粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于10nm。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述衬底为包含铝硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃或钡硼硅酸盐玻璃中任何的玻璃衬底。
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述绝缘层包含氧氮化硅膜或氮氧化硅膜。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述单晶半导体层具有(100)面作为主表面。
15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述单晶半导体层具有(110)面作为主表面。
16.根据权利要求11所述的半导体装置，
其中，所述凹凸形状的各凹部或凸部的宽度的平均值为大于或等于60nm且小于或等于120nm，
并且，各凹部或各凸部的宽度是以平均高度测量的。
17.一种半导体装置，包括：
容许温度极限为700℃或以下的衬底；
所述衬底上的绝缘层；
所述绝缘层上的接合层；以及
所述接合层上的单晶半导体层，
其中，所述单晶半导体层的上部表面的凹凸形状的最大高度差为大于或等于5nm且小于或等于250nm。
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中所述衬底为包含铝硅酸盐玻璃、铝硼硅酸盐玻璃或钡硼硅酸盐玻璃中任何的玻璃衬底。
19.根据权利要求17所述的半导体装置，其中所述绝缘层包含氧氮化硅膜或氮氧化硅膜。
20.根据权利要求17所述的半导体装置，其中所述单晶半导体层具有(100)面作为主表面。
21.根据权利要求17所述的半导体装置，其中所述单晶半导体层具有(110)面作为主表面。
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