[发明专利]芯片排出方法及排出单元、芯片拾取方法及拾取装置有效
| 申请号: | 201210129941.6 | 申请日: | 2012-04-18 |
| 公开(公告)号: | CN103258749A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
| 发明(设计)人: | 许光铁;李喜澈 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 段迎春 |
| 地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 排出 方法 单元 拾取 装置 | ||
技术领域
本发明涉及芯片排出方法、芯片排出单元、芯片拾取方法、及芯片拾取装置。具体地,本发明涉及这样的芯片排出方法,即从附接有晶片的切割带排出芯片的方法,所述晶片被分成多个芯片,本发明还涉及实现上述方法的芯片排出单元、从切割带拾取芯片的芯片拾取方法、及包括所述芯片排出单元并且从切割带拾取芯片的芯片拾取装置。
技术背景
一般地,可通过重复进行一系列的制造工艺而在用作半导体基底的硅晶片上形成半导体器件。然后,通过划片工艺对半导体器件进行划片,然后通过贴片工艺将半导体器件接合至基底。
用于进行贴片工艺的装置可包括这样的贴片装置,即,从划为多个芯片的晶片中拾取芯片以将拾取的芯片附接至基底。贴片装置可包括台架单元、芯片排出单元、及拾取单元,所述台架单元对其上附接有晶片的晶片环进行支撑,所述芯片排出单元上下移动以有选择地从由所述台架单元支撑的晶片分离出芯片,所述拾取单元用于从所述晶片拾取芯片。
芯片排出单元中,当芯片的厚度逐渐减小时,所述芯片排出单元所包括的排出销与芯片形成物理接触以在芯片上形成物理碰撞。由此,芯片上可能会产生破裂之类的损坏以造成芯片产生缺陷。
发明内容
本发明提供了一种可防止对芯片造成碰撞的芯片排出方法。
本发明还提供了一种可防止对芯片造成碰撞的芯片排出单元。
本发明还提供了一种可防止对芯片造成碰撞的芯片拾取方法。
本发明还提供了一种可防止对芯片造成碰撞的芯片拾取装置。
根据本发明的实施例,一种芯片排出方法包括:向下对整个切割带进行真空吸附,分为至少一个芯片的晶片附接至所述切割带,所述芯片具有边缘区域和中心区域;使得所述切割带的与所述边缘区域相对应的第一区域相对于其他区域抬起;且利用气流将空气吹到所述切割带的与所述中心区域相对应的第二区域,以使得所述芯片与所述切割带分离。
所述吹气包括提供压强从所述第二区域的中心朝向外侧逐渐增大的空气。
所述使得所述切割带的第一区域相对于其他区域的抬起包括使得所述第二区域闭合以形成对所述气流进行导向的闭合区域。
利用抬起部件以使得所述切割带的第一区域相对于其他区域抬起,所述抬起部件包括直径沿向上方向逐渐增大以对所述气流进行导向的流体通路。
根据本发明的另一实施例,一种芯片排出单元,其配置为从切割带排出芯片,分为至少一个芯片的晶片附接至所述切割带,所述芯片具有边缘区域和中心区域,所述芯片排出单元包括:具有中空腔和吸附孔的本体,所述中空腔的形状与所述芯片的形状相对应,所述吸附孔配置为对整个所述切割带进行真空吸附;抬起部件,其可上下移动地设置在所述中空腔中并且所述抬起部件中具有流体通路,所述抬起部件配置为使得所述切割带的与所述边缘区域相对应的第一区域抬起;及吹气部,其配置为通过所述流体通路将空气吹至所述切割带与所述中心区域相对应的第二区域。
所述流体通路的直径向上逐渐增大。
所述吹气部包括:空气供给源,其配置为将空气供给入所述流体通路;及空气供给管,其配置为允许所述流体通路与所述空气供给源相互连通。此处,所述芯片排出单元还包括真空吸附部,其配置为通过所述流体通路吸附所述切割带,其中所述真空吸附部包括:从所述空气供给管分支的真空吸附管;及与所述真空吸附管连通的真空吸附源,其配置为通过所述流体通路吸附所述第二区域。
所述吸附孔为环形。
根据本发明的另一实施例,一种芯片拾取方法包括:对切割带进行支撑,分为至少一个芯片的晶片附接至所述切割带,所述芯片具有边缘区域和中心区域;向上对所述芯片进行真空吸附;向下对整个所述切割带进行真空吸附;使得所述切割带的与所述边缘区域对应的第一区域相对于其他区域抬起;利用气流将空气吹到所述切割带的与所述中心区域相对应的第二区域,以使得所述芯片与所述切割带分离;并且从所述切割带拾取所述芯片。此处,所述吹气包括提供压强从所述第二区域的中心朝向外侧逐渐增大的空气。
此外,在向上对所述芯片进行吸附之后,再向下对整个所述切割带进行真空吸附。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





