[发明专利]半导体器件的清洗方法有效
| 申请号： | 201210129476.6 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103377877A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 史爽;詹扬;常延武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 清洗 方法 | ||
1.一种半导体器件的清洗方法，其特征在于，包括：
对刻蚀后的铝铜焊垫执行羟胺基溶剂的第一清洗工序；
执行氟基氧化物刻蚀剂的第二清洗工序，以去除金属氧化物和金属卤化物；以及
执行去离子水的快排快冲清洗的第三清洗工序。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗工序的清洗时间为20-60秒。
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，清洗方法是采用槽式清洗机台执行的。
4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述氟基氧化物刻蚀剂为氟基的缓冲氧化物刻蚀剂。
5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，第二清洗工序是在所述快排快冲清洗的预浸润过程中执行的，在所述预浸润过程中使用所述氟基氧化物刻蚀剂的去离子水溶液。
6.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述氟基氧化物刻蚀剂的去离子水溶液的体积比浓度为0.05%~0.5%。
7.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述快排快冲清洗还包括在所述预浸润步骤之后执行的至少3个快排快冲周期。
8.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述快排快冲清洗包括4个快排快冲周期。
9.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述第一清洗工序和所述第二清洗工序之间还包括去除所述羟胺基溶剂的清洗步骤。
10.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述第三清洗工序之后还包括干燥步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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