[发明专利]多孔纳米硅可见光探测器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210129382.9 申请日: 2012-04-28
公开(公告)号: CN102628710A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 黄远明;翟保改;马青兰;黄晨 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: G01J1/42 分类号: G01J1/42;B81C1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213164 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 多孔 纳米 可见光 探测器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种多孔纳米硅可见光探测器,其特征在于:所述多孔纳米硅可见光探测器中含有电解液,它是以多孔纳米硅薄膜为光子接收器的基本单元并作为探测器的一个电极,以金属丝网作为所述多孔纳米硅可见光探测器的另一个电极,将接收到的可见光光子信号转换为电信号的光电器件。

2.如权利要求1所述的多孔纳米硅可见光探测器的制备方法,其具体步骤如下:

1)选择单面或双面抛光的硅片作为衬底材料,一面蒸镀一层铝膜,热处理形成欧姆接触;

2)将上述硅衬底材料放入含氢氟酸的液体里进行电化学腐蚀,形成多孔纳米硅薄膜;

3)以上述多孔纳米硅薄膜作为一个电极材料,以金属丝网作为另一个电极材料,在所述两个电极之间注入电解液,封装形成所述的多孔纳米硅可见光探测器;

4)在所述的多孔纳米硅可见光探测器之两个电极之间加上偏压,当用可见光束照射所述的多孔纳米硅薄膜时,该探测器将接收到的可见光光子信号转换为电信号。

3.如权利要求1或2所述的多孔纳米硅可见光探测器,其特征在于:对整个可见光谱区内的光子有响应;工作温度在零下60摄氏度至零上200摄氏度。

4.如权利要求1或2所述的多孔纳米硅薄膜是以纳米硅为基本骨架的多孔半导体薄膜,其厚度在1纳米至1000微米之间,其特征在于:具有导电特性,其电阻率在0.002-1000欧姆·厘米之间。

5.如权利要求1-2所述的金属丝网包括但不限于用铂、金、铜等金属及其合金制成的金属丝、金属圈、金属棒和金属网,其特征在于:具有导电能力并作为多孔纳米硅可见光探测器的一个电极;具有让部分或全部入射光通过的能力。

6.如权利要求1或2所述的电解液包括但不限于有机电解液和水性电解液。

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