[发明专利]存储元件和存储装置

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；

磁化固定层，具有用作存储在所述存储层中的信息的基准的磁化；

中间层，由非磁性材料形成，并且介于所述存储层和所述磁化固定层之间；

保护层，被设置为与所述存储层相邻并且在所述中间层的相反侧；以及

金属保护层，被设置为与所述保护层相邻并且在所述存储层的相反侧，

其中，利用由在包括所述存储层、所述中间层和所述磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流所引起的自旋扭矩磁化反转将所述存储层的磁化反转，从而存储信息，

所述中间层和所述保护层由氧化物形成，并且

所述金属保护层由Pd或Pt形成。

2.根据权利要求1所述的存储元件，

其中，所述存储层包括包含Fe和Co中的至少一种的合金区域。

3.根据权利要求2所述的存储元件，

其中，所述存储层和所述磁化固定层具有垂直于层表面的磁化。

4.根据权利要求1所述的存储元件，

其中，所述中间层是隧道绝缘层。

5.一种存储装置，包括：

存储元件，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；以及

彼此交叉的两种类型的配线，

其中，所述存储元件包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；磁化固定层，具有用作存储在所述存储层中的信息的基准的磁化；中间层，由非磁性材料形成并且介于所述存储层和所述磁化固定层之间；保护层，被设置为与所述存储层相邻并且在所述中间层的相反侧；以及金属保护层，被设置为与所述保护层相邻并且在所述存储层的相反侧，其中，利用由在包括所述存储层、所述中间层和所述磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流所引起的自旋扭矩磁化反转将所述存储层的磁化反转，从而存储信息，所述中间层和所述保护层由氧化物形成，并且所述金属保护层由Pd或Pt形成，

所述存储元件设置在所述两种类型的配线之间，并且

通过所述两种类型的配线使所述层压方向上的电流在所述存储元件中流动，从而引起所述自旋扭矩磁化反转。