[发明专利]发光半导体的图案化基材及其制造方法与发光半导体装置

权利要求书

1.一种发光半导体的图案化基材，其特征在于，该图案化基材的上表面设有多个凸出体，每一该凸出体具有一平坦的顶面及多个弧形凸出侧壁。

2.根据权利要求1所述的发光半导体的图案化基材，其特征在于，该凸出体的顶面轮廓的边数等于或少于该些弧形凸出侧壁的数目。

3.根据权利要求1所述的发光半导体的图案化基材，其特征在于，该凸出体的顶面轮廓的边数等于或少于该凸出体的一横切面轮廓的边数，该顶面与该横切面平行。

4.根据权利要求1所述的发光半导体的图案化基材，其特征在于，该图案化基材为蓝宝石基材或含硅基材。

5.一种发光半导体装置，其特征在于，包含：

一种如权利要求1～4任一项所述的发光半导体的图案化基材；

一第一型半导体层，位于该图案化基材上；

一主动发光层，位于该第一型半导体层上；以及

一第二型半导体层，位于该主动发光层上。

6.根据权利要求5所述的发光半导体装置，其特征在于，该第一型半导体层为N型半导体层而该第二型半导体层为P型半导体层，或该第一型半导体层为P型半导体层而该第二型半导体层为N型半导体层。

7.一种制造发光半导体的图案化基材的方法，其特征在于，包含：

提供一发光半导体基材；

形成一蚀刻阻挡层于该发光半导体基材上；

形成一光阻层于该蚀刻阻挡层上；

使用一纳米/微米压印模具或微影制程图案化该光阻层，使该光阻层形成多个多边形的光阻图案；

使用该些图案化后的该光阻图案层为遮罩，对该蚀刻阻挡层及发光半导体基材进行一干蚀刻，而形成多个多边形凸出体于该发光半导体基材表面上；

移除位于该些多边形凸出体的顶面的该光阻层及该蚀刻阻挡层；以及

针对该些多边形凸出体的侧面进行一湿蚀刻，使每一该多边形凸出体具有多个弧形凸出侧壁。

8.根据权利要求7所述的制造发光半导体的图案化基材的方法，其特征在于，该干蚀刻为等离子蚀刻、离子轰击蚀刻或反应离子蚀刻制程。

9.根据权利要求7所述的制造发光半导体的图案化基材的方法，其特征在于，该湿蚀刻使用的蚀刻剂为加热的混合酸性溶液。

10.根据权利要求7所述的制造发光半导体的图案化基材的方法，其特征在于，该蚀刻阻挡层是选二氧化硅及氮化硅所构成的族群。

11.根据权利要求7所述的制造发光半导体的图案化基材的方法，其特征在于，该凸出体的顶面轮廓的边数等于或少于该些弧形凸出侧壁的数目。

12.根据权利要求7所述的制造发光半导体的图案化基材的方法，其特征在于，该凸出体的顶面轮廓的边数等于或少于该凸出体的一横切面轮廓的边数，该顶面与该横切面平行。

13.根据权利要求7～12项中任一项所述的制造发光半导体的图案化基材的方法，其特征在于，该发光半导体基材为蓝宝石基材或含硅基材。