[发明专利]形成单边埋入导电带的方法无效
| 申请号： | 201210128697.1 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103377953A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 单边 埋入 导电 方法 | ||
1.一种形成单边埋入导电带的方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底中包含有深沟渠；
在所述深沟渠内形成导电层；
在所述导电层上依次形成衬垫层以及牺牲层；
移除部份的所述牺牲层，以暴露出部份的所述衬垫层；
移除部份的所述导电层，以在所述深沟渠中形成浅沟渠；
在所述浅沟渠靠近所述基底的一侧形成侧沟渠，包括移除部份的所述导电层以及部份所述基底；以及
在所述浅沟渠以及所述侧沟渠中形成隔离层，使得所述导电层形成单边埋入导电带。
2.根据权利要求1所述的形成单边埋入导电带的方法，其特征在于，所述衬垫层包括：
表面衬垫层，设置在所述基底的表面上；以及
沟渠衬垫层，设置在所述深沟渠的所述导电层上。
3.根据权利要求2所述的形成单边埋入导电带的方法，其特征在于，所述表面衬垫层的厚度大于所述沟渠衬垫层的厚度。
4.根据权利要求2所述的形成单边埋入导电带的方法，其特征在于，所述表面衬垫层的厚度与所述沟渠衬垫层的厚度比为3∶1。
5.根据权利要求2所述的形成单边埋入导电带的方法，其特征在于，在形成所述侧沟渠后，还包括进行缩减工艺。
6.根据权利要求5所述的形成单边埋入导电带的方法，其特征在于，所述缩减工艺会完全移除所述沟渠衬垫层。
7.根据权利要求1所述的形成单边埋入导电带的方法，其特征在于，移除部份的所述牺牲层的步骤包括：
进行斜角离子注入工艺，以注入离子在部份的所述牺牲层中；以及
移除未被离子注入的部份牺牲层，以形成掺杂层。
8.根据权利要求7所述的形成单边埋入导电带的方法，其特征在于，形成所述浅沟渠的步骤包括：
进行氧化工艺，使得所述掺杂层形成氧化掩膜层；以及
以所述氧化掩膜层为掩膜进行蚀刻工艺，以移除部份的所述导电层。
9.根据权利要求7所述的形成单边埋入导电带的方法，其特征在于，所述斜角离子注入工艺是以相较于所述基底法线的预定角度进行，所述预定角度实质上小于20度。
10.根据权利要求8所述的形成单边埋入导电带的方法，其特征在于，在形成所述侧沟渠后，还包括移除所述氧化掩膜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
