[发明专利]制作穿硅通孔的方法无效
| 申请号： | 201210128634.6 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103377994A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 穿硅通孔 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作穿硅通孔的方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底中形成开孔；
进行高温快速热氧化工艺，以在所述开孔的表面上形成第一氧化层；
进行沉积工艺，以在所述第一氧化层上形成第二氧化层；以及
形成导电层在所述第二氧化层上，所述导电层填满所述开孔。
2.根据权利要求1所述的制作穿硅通孔的方法，其特征在于，所述高温快速热氧化工艺是在高于摄氏700度的环境下进行。
3.根据权利要求1所述的制作穿硅通孔的方法，其特征在于，所述沉积工艺包括化学气相沉积工艺或是原子层沉积工艺。
4.根据权利要求1所述的制作穿硅通孔的方法，其特征在于，还包括形成阻障层在所述第二氧化层以及所述导电层之间。
5.根据权利要求1所述的制作穿硅通孔的方法，其特征在于在形成所述导电层之后，还包括进行薄化工艺，使得所述导电层贯穿所述基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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