[发明专利]硫锡钡单晶体及其制备和用途有效
| 申请号： | 201210128628.0 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102644116A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 罗中箴;林晨升;程文旦;张炜龙;张浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B1/10;G02F1/355 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硫锡钡 单晶体 及其 制备 用途 | ||
【权利要求书】：
1.硫锡钡非线性单晶体，其化学式为Ba7Sn5S15，分子量为2035.91，属六方晶系，空间群P63cm，单胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝6。
2.制备权利要求1所述的硫锡钡单晶体的方法，包括如下步骤：以BaS，Sn与S为原料，其摩尔比为7∶5∶15，真空后封口，用四十小时使温度达到800℃，并且在800℃恒温五十小时，然后降至室温，获得块状红色晶体。
3.权利要求1的硫锡钡单晶体用于制备红外波段激光变频器件以及近红外滤光器件、红外激光雷达。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210128628.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于高压电器的接线柱
- 下一篇：苯三酸镉钙异金属配合物及其合成与应用
