[发明专利]一种金属酞菁薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种金属酞菁薄膜的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：将金属酞菁化合物、有机溶剂与成膜剂充分混和配制成混合溶液；然后将所述混合溶液转移到惰性衬底上并进行退火处理。

2.根据权利要求1所述金属酞菁薄膜的制作方法，其特征在于，所述金属酞菁化合物在所述混合溶液中的浓度为0.01～6mg/ml；所述成膜剂在所述混合溶液中的浓度为0.1～50mg/ml。

3.根据权利要求1或2所述金属酞菁薄膜的制备方法，其特征在于，所述成膜剂为可溶于有机溶剂的绝缘高分子聚合物或半导体高分子聚合物中的一种或多种。

4.根据权利要求1或2所述金属酞菁薄膜的制备方法，其特征在于，所述的金属酞菁化合物是酞菁铜、酞菁镍、酞菁钴、酞菁锌、酞菁铝、酞菁锡、酞菁镁、酞菁铁、酞菁钒中的一种或多种。

5.根据权利要求1或2所述金属酞菁薄膜的制备方法，其特征在于，所述的有机溶剂为氯仿、二氯甲烷、氯苯、间二甲苯、邻二甲苯、对二甲苯、对二氯苯、间二氯苯、邻二氯苯等中的一种或多种。

6.根据权利要求1或2所述金属酞菁薄膜的制备方法，其特征在于：所述混合溶液的转移方法为滴膜、旋涂、浸泡、辊涂、电纺丝、凹版印刷、气溶胶喷印、喷墨打印、丝网印刷中的一种。

7.根据权利要求1或2所述金属酞菁薄膜的制备方法，其特征在于，所述的退火处理是常温退火、加热退火、低压退火、惰性气体氛围中退火及溶剂蒸汽中退火的一种或多种。

8.根据权利要求1或2所述金属酞菁薄膜的制备方法，其特征在于：所述的惰性衬底的制作材料为二氧化硅、硅、玻璃、石英、铜、聚酰亚胺、聚醚砜树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种。

9.根据权利要求1所制备的金属酞菁薄膜，其特征在于，是由金属酞菁化合物的一维纳米结构相互交联成网状并分散在成膜剂中形成的；所述一维纳米结构及其相互交联成网状是金属酞菁化合物通过分子间作用力形成的。

10.根据权利要求9所述金属酞菁薄膜，其特征在于，所述金属酞菁化合物与所述成膜剂的质量比为0.1～60∶1～500。

11.根据权利要求9或10所述金属酞菁薄膜，其特征在于，所述成膜剂为可溶于有机溶剂的绝缘高分子聚合物或半导体高分子聚合物中的一种或多种。

12.根据权利要求9或10所述金属酞菁薄膜，其特征在于，所述的金属酞菁化合物是酞菁铜、酞菁镍、酞菁钴、酞菁锌、酞菁铝、酞菁锡、酞菁镁、酞菁铁、酞菁钒中的一种或多种。